Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
Na povrchu čipu nejdříve působením vysoké teploty přítom
nosti kyslíku vytvoří tenká vrstva oxidu křemičitého. 40.Typ vodivosti její velikost lze příměsmi měnit nejen celém
objemu materiálu, ale také jen určitých, přesně vymezených oblastech. Vrstva oxidu tomto místě vyleptá
Obr. polovodičovém
materiálu tedy musí vytvořit oblast, která svou vodivostí žádaným
způsobem liší okolí při tom potřebný výsledný odpor. vyvolání vznikne maska
s otvorem tvaru rezistoru. Nejsou ničím jiným, než účelnou kombinací oblastí
s různým typem různou velikostí vodivosti, vytvořených malých
destičkách (čipech) vyříznutých krystalu křemíku.
Na nanese krycí vrstva citlivá světlo osvětluje promítnutím
obrazce strukturou budoucího rezistoru. Můžeme jej vše
obecně charakterizovat jako úsek proudové dráhy, který odpor pod
statně větší než vodivé spoje podstatně menší než okolní prostředí
(které ideálním případě mělo být zcela nevodivé).
Vezměme jako příklad realizaci rezistoru čipu.
Obratnému využití těchto skutečností vděčíme monolitické
integrované obvody. Tato sloučenina
(vlastně křemen), která jednou hlavních složek zemské kůry, velmi
odolná chrání křemík proti znečistění, vlhkosti chemickým vlivům. Automatické zaří
zení osvitu maskovacích
vrstev (fotorezistů) pod
kladových destičkách
mikroelektronických obvodů
87
