Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
Než zmíníme způsobu výroby monolitických integrovaných
obvodů, musíme připomenout některé vlastnosti polovodičů:
• Elektrickou vodivost polovodičových materiálů lze příměsí atomů
jiných prvků reprodukovatelně měnit rozmezí „téměř izolantu“
až „téměř vodič“ . Opět používají plátky větších
rozměrů, nichž současně zhotoví větší počet obvodů pak plátek
rozdělí jednotlivé čipy.
• Existují používají polovodiče dvěma typy vodivosti —
polovodič typu přebytkem elektronů, polovodič typu nedostat
kem elektronů. kondenzátory, tranzistory nebo složité
monolitické integrované obvody polovodičové destičce (tzv.
Základní znaky planární technologie jsou tyto:
• Nepoužívá podložka izolantu. planární technologie, která umož
ňovala jedné křemíkové destičce současně vyrobit velký počet diod
nebo tranzistorů velmi dobré jakosti. téhož materiálu, něhož zhotovují diody
a tranzistory. tloušťku asi 0,1 délku stran několika desetin
milimetru několika milimetrů.
Kolem 1960 byla vyvinuta tzv.
• Součástky obvodu nejsou čipu, nýbrž něm.
Nezbývá nic jiného, než tyto součástky obvodu dodatečně vsazovat. zde ovšem používají
také přídavné vrstvy nanesené povrch, např. hybridní integrované obvody, které spo
lečném pouzdru obsahují vlastní vrstvový integrovaný obvod ním
spojené přídavné součástky, např. Monolitické integrované obvody
vznikaly tím, použití planární technologie rozšířilo výrobu
ostatních součástek celých elektronických obvodů. Výsledkem jsou tzv. vodivé nebo izolační
vrstvy.Především však nejsou dispozici technologicky vyzrálé metody
zhotovení diod tranzistorů technikou tenkých (nebo tlustých) vrstev. čipu). Jsou povrchu
vpraveny dovnitř polovodičového materiálu. Místo zde tenká destička
(čip) křemíku, tj.
Monolitické egrované y
Druhý směr vývoje integrovaných elektronických obvodů vycházel
z osvědčené technologie výroby polovodičových diod tranzistorů.
Stejně tak musí vsazovat jiné součástky, které nelze touto technikou
zhotovit, nepodaří-li vyloučit jejich potřebu vhodným návrhem
obvodu.
86
