Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
88
. Tento proces byl vyvinut pro výrobu polovodičo
vých diod tranzistorů byl doveden velké technické dokonalosti. 40). Příklad realizace kondenzátoru
v monolitickém integrovaném obvodu (řez
čipem)
Pro kondenzátor (obr.
Na okénko masky nechají působit např. Druhá elektroda
se pak tuto vrstvu napaří jako tenká kovová vrstva. páry bóru.
vrstva SiO, ,
, kontaktní
plošky
vrstva SiO2
tenkávrstva
kovu
kontaktní
plošky
čip odporová oblast dobřevodivá oblast
Obr. Dává ovšem
přednost takovým zapojením obvodu, která kondenzátory nepotřebují
(nebo nahrazují kombinací diod). monolitického
integrovaného obvodu plocha „obrovská“ neboť mohlo
umístit několik desítek tranzistorů nebo rezistorů. 42) nejprve křemíku difúzí vytvoří
jedna elektroda jako dobře vodivá ploška zakryje dobře izolující
vrstvou oxidu, která tvoří dielektrikum kondenzátoru. 42. Příklad realizace rezistoru
v monolitickém integrovaném
obvodu (řez čipem)
Obr. dalším procesu nanesení maskovací vrstvy
a leptání vytvoří malá okénka pro místa připojení rezistoru pokoví
se (obr.odkryje zde povrch křemíku. Kondenzátory totiž zabírají příliš
velkou plochu (až mm2) pro poměrně malé kapacity. 41. Pokovené vývody rezistoru později spojí vodiči
nanesenými izolující vrstvu oxidu tvaru tenkých vrstev, např.
zlatých nebo hliníkových. Tím vytvoří maska pro následující
proces difúze. vše obstarávají automatická zařízení (obr.
Když okénko opět uzavře vrstvou oxidu, odporová oblast uzavřena
v základním materiálu. Hloubka vniku koncen
trace atomů bóru křemíku řídí podmínkami průběhu procesu.
Difúze proces vpravování příměsí polovodiče, aby dosáhlo
změny jeho vodivosti. Atomy bóru
při tom vnikají difundují křemíku. 41).
Diody tranzistory nejsou při výrobě monolitických integrova
ných obvodů žádným problémem, třebaže vyžadují několikanásobný
proces difúze vždyť tyto obvody vznikly výrobních postupů
tranzistorů
