Elektrotechnika středem zájmu

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Walter Conrad

Strana 90 z 208

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Příklad realizace rezistoru v monolitickém integrovaném obvodu (řez čipem) Obr. páry bóru. Příklad realizace kondenzátoru v monolitickém integrovaném obvodu (řez čipem) Pro kondenzátor (obr. Na okénko masky nechají působit např.odkryje zde povrch křemíku. 40). Diody tranzistory nejsou při výrobě monolitických integrova­ ných obvodů žádným problémem, třebaže vyžadují několikanásobný proces difúze vždyť tyto obvody vznikly výrobních postupů tranzistorů. Atomy bóru při tom vnikají difundují křemíku. monolitického integrovaného obvodu plocha „obrovská“ neboť mohlo umístit několik desítek tranzistorů nebo rezistorů. Tento proces byl vyvinut pro výrobu polovodičo­ vých diod tranzistorů byl doveden velké technické dokonalosti. 42. Kondenzátory totiž zabírají příliš velkou plochu (až mm2) pro poměrně malé kapacity. zlatých nebo hliníkových. dalším procesu nanesení maskovací vrstvy a leptání vytvoří malá okénka pro místa připojení rezistoru pokoví se (obr. Druhá elektroda se pak tuto vrstvu napaří jako tenká kovová vrstva. Tím vytvoří maska pro následující proces difúze. Dává ovšem přednost takovým zapojením obvodu, která kondenzátory nepotřebují (nebo nahrazují kombinací diod). 41). Hloubka vniku koncen­ trace atomů bóru křemíku řídí podmínkami průběhu procesu. 42) nejprve křemíku difúzí vytvoří jedna elektroda jako dobře vodivá ploška zakryje dobře izolující vrstvou oxidu, která tvoří dielektrikum kondenzátoru. Pokovené vývody rezistoru později spojí vodiči nanesenými izolující vrstvu oxidu tvaru tenkých vrstev, např. 41. 88 . vrstva SiO, , , kontaktní plošky vrstva SiO2 tenkávrstva kovu kontaktní plošky čip odporová oblast dobřevodivá oblast Obr. Difúze proces vpravování příměsí polovodiče, aby dosáhlo změny jeho vodivosti. vše obstarávají automatická zařízení (obr. Když okénko opět uzavře vrstvou oxidu, odporová oblast uzavřena v základním materiálu