Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
42) nejprve křemíku difúzí vytvoří
jedna elektroda jako dobře vodivá ploška zakryje dobře izolující
vrstvou oxidu, která tvoří dielektrikum kondenzátoru. Tento proces byl vyvinut pro výrobu polovodičo
vých diod tranzistorů byl doveden velké technické dokonalosti. dalším procesu nanesení maskovací vrstvy
a leptání vytvoří malá okénka pro místa připojení rezistoru pokoví
se (obr.
Když okénko opět uzavře vrstvou oxidu, odporová oblast uzavřena
v základním materiálu. Atomy bóru
při tom vnikají difundují křemíku. 40). Hloubka vniku koncen
trace atomů bóru křemíku řídí podmínkami průběhu procesu. Druhá elektroda
se pak tuto vrstvu napaří jako tenká kovová vrstva. Kondenzátory totiž zabírají příliš
velkou plochu (až mm2) pro poměrně malé kapacity. 41).
Na okénko masky nechají působit např. Dává ovšem
přednost takovým zapojením obvodu, která kondenzátory nepotřebují
(nebo nahrazují kombinací diod). páry bóru.odkryje zde povrch křemíku. 41. Tím vytvoří maska pro následující
proces difúze. vše obstarávají automatická zařízení (obr. monolitického
integrovaného obvodu plocha „obrovská“ neboť mohlo
umístit několik desítek tranzistorů nebo rezistorů. 42. Příklad realizace rezistoru
v monolitickém integrovaném
obvodu (řez čipem)
Obr.
zlatých nebo hliníkových.
vrstva SiO, ,
, kontaktní
plošky
vrstva SiO2
tenkávrstva
kovu
kontaktní
plošky
čip odporová oblast dobřevodivá oblast
Obr.
Difúze proces vpravování příměsí polovodiče, aby dosáhlo
změny jeho vodivosti.
Diody tranzistory nejsou při výrobě monolitických integrova
ných obvodů žádným problémem, třebaže vyžadují několikanásobný
proces difúze vždyť tyto obvody vznikly výrobních postupů
tranzistorů. Příklad realizace kondenzátoru
v monolitickém integrovaném obvodu (řez
čipem)
Pro kondenzátor (obr.
88
. Pokovené vývody rezistoru později spojí vodiči
nanesenými izolující vrstvu oxidu tvaru tenkých vrstev, např
