Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
monolitického
integrovaného obvodu plocha „obrovská“ neboť mohlo
umístit několik desítek tranzistorů nebo rezistorů. 42. Druhá elektroda
se pak tuto vrstvu napaří jako tenká kovová vrstva. Příklad realizace kondenzátoru
v monolitickém integrovaném obvodu (řez
čipem)
Pro kondenzátor (obr.odkryje zde povrch křemíku. Příklad realizace rezistoru
v monolitickém integrovaném
obvodu (řez čipem)
Obr. 40). 41. páry bóru.
Diody tranzistory nejsou při výrobě monolitických integrova
ných obvodů žádným problémem, třebaže vyžadují několikanásobný
proces difúze vždyť tyto obvody vznikly výrobních postupů
tranzistorů.
Na okénko masky nechají působit např. Tento proces byl vyvinut pro výrobu polovodičo
vých diod tranzistorů byl doveden velké technické dokonalosti. dalším procesu nanesení maskovací vrstvy
a leptání vytvoří malá okénka pro místa připojení rezistoru pokoví
se (obr. Dává ovšem
přednost takovým zapojením obvodu, která kondenzátory nepotřebují
(nebo nahrazují kombinací diod). Pokovené vývody rezistoru později spojí vodiči
nanesenými izolující vrstvu oxidu tvaru tenkých vrstev, např. Atomy bóru
při tom vnikají difundují křemíku.
88
.
zlatých nebo hliníkových.
vrstva SiO, ,
, kontaktní
plošky
vrstva SiO2
tenkávrstva
kovu
kontaktní
plošky
čip odporová oblast dobřevodivá oblast
Obr. Kondenzátory totiž zabírají příliš
velkou plochu (až mm2) pro poměrně malé kapacity.
Difúze proces vpravování příměsí polovodiče, aby dosáhlo
změny jeho vodivosti. Tím vytvoří maska pro následující
proces difúze. 41). vše obstarávají automatická zařízení (obr. 42) nejprve křemíku difúzí vytvoří
jedna elektroda jako dobře vodivá ploška zakryje dobře izolující
vrstvou oxidu, která tvoří dielektrikum kondenzátoru. Hloubka vniku koncen
trace atomů bóru křemíku řídí podmínkami průběhu procesu.
Když okénko opět uzavře vrstvou oxidu, odporová oblast uzavřena
v základním materiálu
