Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
Druhá elektroda
se pak tuto vrstvu napaří jako tenká kovová vrstva. Pokovené vývody rezistoru později spojí vodiči
nanesenými izolující vrstvu oxidu tvaru tenkých vrstev, např.
Když okénko opět uzavře vrstvou oxidu, odporová oblast uzavřena
v základním materiálu. Příklad realizace rezistoru
v monolitickém integrovaném
obvodu (řez čipem)
Obr. 41. páry bóru.
vrstva SiO, ,
, kontaktní
plošky
vrstva SiO2
tenkávrstva
kovu
kontaktní
plošky
čip odporová oblast dobřevodivá oblast
Obr. Příklad realizace kondenzátoru
v monolitickém integrovaném obvodu (řez
čipem)
Pro kondenzátor (obr.
88
. Hloubka vniku koncen
trace atomů bóru křemíku řídí podmínkami průběhu procesu. dalším procesu nanesení maskovací vrstvy
a leptání vytvoří malá okénka pro místa připojení rezistoru pokoví
se (obr. 41).
Difúze proces vpravování příměsí polovodiče, aby dosáhlo
změny jeho vodivosti. Kondenzátory totiž zabírají příliš
velkou plochu (až mm2) pro poměrně malé kapacity. Tím vytvoří maska pro následující
proces difúze. Atomy bóru
při tom vnikají difundují křemíku.
Na okénko masky nechají působit např.
Diody tranzistory nejsou při výrobě monolitických integrova
ných obvodů žádným problémem, třebaže vyžadují několikanásobný
proces difúze vždyť tyto obvody vznikly výrobních postupů
tranzistorů. 42) nejprve křemíku difúzí vytvoří
jedna elektroda jako dobře vodivá ploška zakryje dobře izolující
vrstvou oxidu, která tvoří dielektrikum kondenzátoru. 42. Dává ovšem
přednost takovým zapojením obvodu, která kondenzátory nepotřebují
(nebo nahrazují kombinací diod).odkryje zde povrch křemíku.
zlatých nebo hliníkových. Tento proces byl vyvinut pro výrobu polovodičo
vých diod tranzistorů byl doveden velké technické dokonalosti. monolitického
integrovaného obvodu plocha „obrovská“ neboť mohlo
umístit několik desítek tranzistorů nebo rezistorů. 40). vše obstarávají automatická zařízení (obr
