Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 271 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Difúzni napětí vzniká jak levém přechodu Pv, tak na pravém vN. 24. Počet generovaných párů elektron díra počet rekombinací vzroste při zvýšení teploty 32násobek: °C, = 2 (článek 3). 16. b) Akceptory donory nemohou opustit své místo atomové mříži krystalu. 20. Lavinový průraz nastává při vyšších teplotách při vyšším napětí. Řešení příkladu: 000 V/mm 0,05 1250 přechod PN o šířce 0,05 snese tedy maximálně závěrné napětí 1250 V. Ano, při běžné teplotě dochází generaci párů elektron—díra (ale počet volných elektronů mnohem menší než počet děr, článek 3). 5. Ano, závěrný proud zdvojnásobí, jestliže oblast prosto­ rového náboje zvětší dvakrát. (akceptor díra), b) (donor volný elektron), c) (rekombinační centrum volný elektron díra) (články 4). 2. 272 . Ano, rekombinační centra zvětšují hodnotu závěrného proudu. ZÁVĚREČNÝ TEST KAPITOLY II 1. 14. Obě složky, tj. 18. Obě napětí (difúzni závěrné) působí stejným směrem. 23. Můžete odpovědět správně dvojím způsobem: a) Protože tyto náboje jsou nepohyblivé.Kontrolní otázky: 12. čistém izolantu nemůže vzniknout lavinový průraz. 17. 21. 13. Závěrné napětí musí vzrůst devětkrát, má-li ztrojnásobit šířka oblasti prostorového náboje. Při malém propustném napětí oblast prostorového náboje zba­ vena volných nosičů nábojů tedy nepatrnou elektrickou vodivost, takže přechodem neprochází téměř žádný proud (článek ). 22. Velký počet rekombinačních center následek velký úby­ tek propustném směru. b) čistém izolantu může dojít vzniku Zenerova průrazu. 15. děrový elektronový proud, sčítají. silněji dotovaném krystalu úbytek propustném směru menší. 4. slaběji dotovaného přechodu lze dosáhnout vyššího přípustného závěrného napětí. Krystal mající menší počet akceptorů, vykazuje větší hod­ notu měrného odporu (článek 2). 3. 19