Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 271 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Obě napětí (difúzni závěrné) působí stejným směrem. Závěrné napětí musí vzrůst devětkrát, má-li ztrojnásobit šířka oblasti prostorového náboje.Kontrolní otázky: 12. Ano, rekombinační centra zvětšují hodnotu závěrného proudu. Difúzni napětí vzniká jak levém přechodu Pv, tak na pravém vN. b) Akceptory donory nemohou opustit své místo atomové mříži krystalu. b) čistém izolantu může dojít vzniku Zenerova průrazu. Počet generovaných párů elektron díra počet rekombinací vzroste při zvýšení teploty 32násobek: °C, = 2 (článek 3). čistém izolantu nemůže vzniknout lavinový průraz. děrový elektronový proud, sčítají. 16. 14. 20. 4. silněji dotovaném krystalu úbytek propustném směru menší. Můžete odpovědět správně dvojím způsobem: a) Protože tyto náboje jsou nepohyblivé. 3. Ano, závěrný proud zdvojnásobí, jestliže oblast prosto­ rového náboje zvětší dvakrát. 19. 5. 15. Řešení příkladu: 000 V/mm 0,05 1250 přechod PN o šířce 0,05 snese tedy maximálně závěrné napětí 1250 V. 23. ZÁVĚREČNÝ TEST KAPITOLY II 1. Krystal mající menší počet akceptorů, vykazuje větší hod­ notu měrného odporu (článek 2). 21. 2. Při malém propustném napětí oblast prostorového náboje zba­ vena volných nosičů nábojů tedy nepatrnou elektrickou vodivost, takže přechodem neprochází téměř žádný proud (článek ). Obě složky, tj. 24. (akceptor díra), b) (donor volný elektron), c) (rekombinační centrum volný elektron díra) (články 4). 13. Lavinový průraz nastává při vyšších teplotách při vyšším napětí. 272 . 17. 22. Velký počet rekombinačních center následek velký úby­ tek propustném směru. 18. slaběji dotovaného přechodu lze dosáhnout vyššího přípustného závěrného napětí. Ano, při běžné teplotě dochází generaci párů elektron—díra (ale počet volných elektronů mnohem menší než počet děr, článek 3)