Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 271 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
23. 24. 272 . 19. Lavinový průraz nastává při vyšších teplotách při vyšším napětí. 5. 20. Obě napětí (difúzni závěrné) působí stejným směrem. Ano, rekombinační centra zvětšují hodnotu závěrného proudu. Velký počet rekombinačních center následek velký úby­ tek propustném směru. Řešení příkladu: 000 V/mm 0,05 1250 přechod PN o šířce 0,05 snese tedy maximálně závěrné napětí 1250 V. b) čistém izolantu může dojít vzniku Zenerova průrazu. 17. Ano, závěrný proud zdvojnásobí, jestliže oblast prosto­ rového náboje zvětší dvakrát. Ano, při běžné teplotě dochází generaci párů elektron—díra (ale počet volných elektronů mnohem menší než počet děr, článek 3). Můžete odpovědět správně dvojím způsobem: a) Protože tyto náboje jsou nepohyblivé. Závěrné napětí musí vzrůst devětkrát, má-li ztrojnásobit šířka oblasti prostorového náboje. 13. (akceptor díra), b) (donor volný elektron), c) (rekombinační centrum volný elektron díra) (články 4). 2. Obě složky, tj. čistém izolantu nemůže vzniknout lavinový průraz. 22. 14. 16. 4. slaběji dotovaného přechodu lze dosáhnout vyššího přípustného závěrného napětí. děrový elektronový proud, sčítají. Difúzni napětí vzniká jak levém přechodu Pv, tak na pravém vN. silněji dotovaném krystalu úbytek propustném směru menší. 3. Počet generovaných párů elektron díra počet rekombinací vzroste při zvýšení teploty 32násobek: °C, = 2 (článek 3). ZÁVĚREČNÝ TEST KAPITOLY II 1. Při malém propustném napětí oblast prostorového náboje zba­ vena volných nosičů nábojů tedy nepatrnou elektrickou vodivost, takže přechodem neprochází téměř žádný proud (článek ).Kontrolní otázky: 12. 18. 21. b) Akceptory donory nemohou opustit své místo atomové mříži krystalu. 15. Krystal mající menší počet akceptorů, vykazuje větší hod­ notu měrného odporu (článek 2)