Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 271 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Velký počet rekombinačních center následek velký úby­ tek propustném směru. Můžete odpovědět správně dvojím způsobem: a) Protože tyto náboje jsou nepohyblivé. čistém izolantu nemůže vzniknout lavinový průraz. 4. Ano, závěrný proud zdvojnásobí, jestliže oblast prosto­ rového náboje zvětší dvakrát.Kontrolní otázky: 12. Krystal mající menší počet akceptorů, vykazuje větší hod­ notu měrného odporu (článek 2). 13. Ano, rekombinační centra zvětšují hodnotu závěrného proudu. Difúzni napětí vzniká jak levém přechodu Pv, tak na pravém vN. Počet generovaných párů elektron díra počet rekombinací vzroste při zvýšení teploty 32násobek: °C, = 2 (článek 3). b) čistém izolantu může dojít vzniku Zenerova průrazu. Řešení příkladu: 000 V/mm 0,05 1250 přechod PN o šířce 0,05 snese tedy maximálně závěrné napětí 1250 V. děrový elektronový proud, sčítají. 21. Lavinový průraz nastává při vyšších teplotách při vyšším napětí. Závěrné napětí musí vzrůst devětkrát, má-li ztrojnásobit šířka oblasti prostorového náboje. Při malém propustném napětí oblast prostorového náboje zba­ vena volných nosičů nábojů tedy nepatrnou elektrickou vodivost, takže přechodem neprochází téměř žádný proud (článek ). 23. 17. Ano, při běžné teplotě dochází generaci párů elektron—díra (ale počet volných elektronů mnohem menší než počet děr, článek 3). Obě napětí (difúzni závěrné) působí stejným směrem. 20. 14. b) Akceptory donory nemohou opustit své místo atomové mříži krystalu. (akceptor díra), b) (donor volný elektron), c) (rekombinační centrum volný elektron díra) (články 4). 24. 272 . silněji dotovaném krystalu úbytek propustném směru menší. 22. Obě složky, tj. 16. slaběji dotovaného přechodu lze dosáhnout vyššího přípustného závěrného napětí. 5. 18. 2. 15. ZÁVĚREČNÝ TEST KAPITOLY II 1. 3. 19