Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 272 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4. Diferenciální odpor větší, c) Prahové napětí V(to> menší, 3. b) Diferenciální odpor 1 __0 V rF 0,0008 0,6 mil 600 A 5. 8. a), Šířka oblasti prostorového náboje určena stupněm dotace a závěrným napětím (články 14, 18). Odpor diody propustném směru klesá, jestliže zvětšuje propustný proud (články 12, 13). běžné diody lze uskutečnit kombinaci vysoký úbytek pro­ pustném směru vysoké závěrné napětí (články 18, 19, 20) kombinaci č) nízký úbytek propustném směru nízké závěrné nápětí (člán­ ky, 18, 19, 20). 9. Prahové napětí při vzrůstající teplotě klesá. diody PvN PtcN ještě uskutečnit kombinaci vlastností d) nízký úbytek propustném směru vysoké závěrné napětí, (články 21, 22). Ztrátový výkon P-$ 300 0,95 285 W.Závěrný proud vyvolán závěrným napětím rekombinačními centry oblasti prostorového náboje (článek 15). 273 . Kapitola III Kontrolní otázky: 1. kladný pól zdroje musíme připojit oblast vodivosti typu P. 10. Výraz řetězová reakce přiřadíme lavinovému průrazu (člá­ nek 23). Prahové napětí U(io) 0,75 0,78 V. KONTROLNÍ TEST A 1. Ano, závěrný proud diody PvN závisí stupni dotace střední oblasti: šířka oblasti prostorového náboje určena stupněm dotace šířka této oblasti opět ovlivňuje počet rekombinačních center, která zvyšují hodnotu závěrného proudu (články 15, 18). Diferenciální odpor zvětšuje, jestliže teplota přechodu PN vzrůstá. 12. I. Úbytek propustném směru zmenšuje, jestliže teplota pře­ chodu vzrůstá. II. 2. 2