Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
I. diody PvN PtcN ještě uskutečnit kombinaci vlastností
d) nízký úbytek propustném směru vysoké závěrné napětí, (články
21, 22).
273
. kladný pól zdroje musíme připojit oblast vodivosti typu P.
4.
2.
10. Diferenciální odpor zvětšuje, jestliže teplota přechodu PN
vzrůstá.
12.
b) Diferenciální odpor
1 __0 V
rF 0,0008 0,6 mil
600 A
5. běžné diody lze uskutečnit kombinaci vysoký úbytek pro
pustném směru vysoké závěrné napětí (články 18, 19, 20) kombinaci
č) nízký úbytek propustném směru nízké závěrné nápětí (člán
ky, 18, 19, 20).Závěrný proud vyvolán závěrným napětím rekombinačními
centry oblasti prostorového náboje (článek 15).
2. Výraz řetězová reakce přiřadíme lavinovému průrazu (člá
nek 23).
Kapitola III
Kontrolní otázky:
1. Prahové napětí při vzrůstající teplotě klesá. Prahové napětí U(io) 0,75 0,78 V. Úbytek propustném směru zmenšuje, jestliže teplota pře
chodu vzrůstá.
8. Odpor diody propustném směru klesá, jestliže zvětšuje
propustný proud (články 12, 13). Ztrátový výkon P-$ 300 0,95 285 W. Diferenciální odpor větší,
c) Prahové napětí V(to> menší,
3.
KONTROLNÍ TEST A
1.
9. a), Šířka oblasti prostorového náboje určena stupněm dotace
a závěrným napětím (články 14, 18).
II. Ano, závěrný proud diody PvN závisí stupni dotace střední
oblasti: šířka oblasti prostorového náboje určena stupněm dotace šířka
této oblasti opět ovlivňuje počet rekombinačních center, která zvyšují
hodnotu závěrného proudu (články 15, 18)
