Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 270 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
3. 5. Difúzni napětí přechodu nemůžeme změřit galva- nometrem. Atom křemíku nebo germania čtyři valenční elektrony (srovnejte popř. b) straně oblasti typu náboj kladný (+)• KONTROLNÍ TEST A 1. Ano, počet rekombinačních pochodů časové jednotce závisí silně teplotě. straně oblasti typu náboj záporný (—). Doba života delší krystalu obsahujícím menší počet rekombinačních center. Akceptory dodává bor, hliník, galium, indium, b) Donory dodává fosfor, arzén, antimon. našem případě, který jsme podrobně sledovali, přechodu PN (článek 9), obecně všude tam, kde spolu sousedí oblasti různou mírou dotace (článek 10). Chybějící elektron krystalové mříži nazývame díra. 11. 2. 271 . 4. kapitolu článek 4). Vpravíme-li křemíkového nebo germaniového krystalu do­ nory, získáme vodivost typu (článek 1). 5. příčina difúzni proud, b) l-> následek difúzni napětí. Difúzni proudy, vyvolané pohybem děr elektronů, mají stejný směr. 9. 7. 6.II Kontrolní otázky: 1. 2. a), vzniku difúzního proudu nutný rozdíl koncentrací, který snaží volné nosiče nábojů vyrovnat při svém pohybu, vyvolaném teplotou krystalu (článek 7). Měrný odpor křemíku germania nezávisí době života nosičů nábojů (článek 5). 6. Pojem „generace páru nosičů nábojů“ znamená současný vznik jednoho volného elektronu jedné díry. 3. 2. 10., tzn. 4. Páry elektron díra generují nejvíce rekombinačních centrech (článek 4). Dráha, kterou proběhne při difúzi elektron oblasti je při vyšší teplotě delší. případě velkého odporu polovodiče jedná materiál slabé dotovaný. 8