Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 270 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
, tzn. příčina difúzni proud, b) l-> následek difúzni napětí. Dráha, kterou proběhne při difúzi elektron oblasti je při vyšší teplotě delší. 2. 8. 3. 271 .II Kontrolní otázky: 1. 2. 6. Atom křemíku nebo germania čtyři valenční elektrony (srovnejte popř. 9. 7. Páry elektron díra generují nejvíce rekombinačních centrech (článek 4). 10. b) straně oblasti typu náboj kladný (+)• KONTROLNÍ TEST A 1. 4. 4. Měrný odpor křemíku germania nezávisí době života nosičů nábojů (článek 5). Chybějící elektron krystalové mříži nazývame díra. straně oblasti typu náboj záporný (—). kapitolu článek 4). 2. Pojem „generace páru nosičů nábojů“ znamená současný vznik jednoho volného elektronu jedné díry. Difúzni napětí přechodu nemůžeme změřit galva- nometrem. a), vzniku difúzního proudu nutný rozdíl koncentrací, který snaží volné nosiče nábojů vyrovnat při svém pohybu, vyvolaném teplotou krystalu (článek 7). 3. Difúzni proudy, vyvolané pohybem děr elektronů, mají stejný směr. Vpravíme-li křemíkového nebo germaniového krystalu do­ nory, získáme vodivost typu (článek 1). případě velkého odporu polovodiče jedná materiál slabé dotovaný. Ano, počet rekombinačních pochodů časové jednotce závisí silně teplotě. 5. 6. 11. Akceptory dodává bor, hliník, galium, indium, b) Donory dodává fosfor, arzén, antimon. 5. Doba života delší krystalu obsahujícím menší počet rekombinačních center. našem případě, který jsme podrobně sledovali, přechodu PN (článek 9), obecně všude tam, kde spolu sousedí oblasti různou mírou dotace (článek 10)