Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 270 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4. 11. Dráha, kterou proběhne při difúzi elektron oblasti je při vyšší teplotě delší. Měrný odpor křemíku germania nezávisí době života nosičů nábojů (článek 5). b) straně oblasti typu náboj kladný (+)• KONTROLNÍ TEST A 1. straně oblasti typu náboj záporný (—). Chybějící elektron krystalové mříži nazývame díra. 6., tzn. 3. Ano, počet rekombinačních pochodů časové jednotce závisí silně teplotě. 7. a), vzniku difúzního proudu nutný rozdíl koncentrací, který snaží volné nosiče nábojů vyrovnat při svém pohybu, vyvolaném teplotou krystalu (článek 7). Difúzni proudy, vyvolané pohybem děr elektronů, mají stejný směr. našem případě, který jsme podrobně sledovali, přechodu PN (článek 9), obecně všude tam, kde spolu sousedí oblasti různou mírou dotace (článek 10). 6. kapitolu článek 4). Pojem „generace páru nosičů nábojů“ znamená současný vznik jednoho volného elektronu jedné díry. 5. Páry elektron díra generují nejvíce rekombinačních centrech (článek 4).II Kontrolní otázky: 1. 9. 5. Vpravíme-li křemíkového nebo germaniového krystalu do­ nory, získáme vodivost typu (článek 1). 271 . 10. Akceptory dodává bor, hliník, galium, indium, b) Donory dodává fosfor, arzén, antimon. Difúzni napětí přechodu nemůžeme změřit galva- nometrem. příčina difúzni proud, b) l-> následek difúzni napětí. 3. Atom křemíku nebo germania čtyři valenční elektrony (srovnejte popř. Doba života delší krystalu obsahujícím menší počet rekombinačních center. případě velkého odporu polovodiče jedná materiál slabé dotovaný. 4. 2. 8. 2. 2