Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
případě velkého odporu polovodiče jedná materiál
slabé dotovaný.
11.
6.
4. Měrný odpor křemíku germania nezávisí době života
nosičů nábojů (článek 5).
2. straně oblasti typu náboj záporný (—). Ano, počet rekombinačních pochodů časové jednotce závisí
silně teplotě. Chybějící elektron krystalové mříži nazývame díra. Akceptory dodává bor, hliník, galium, indium,
b) Donory dodává fosfor, arzén, antimon. Difúzni proudy, vyvolané pohybem děr elektronů, mají
stejný směr., tzn. Páry elektron díra generují nejvíce rekombinačních
centrech (článek 4). Difúzni napětí přechodu nemůžeme změřit galva-
nometrem.
6.
10. 2. Doba života delší krystalu obsahujícím menší počet
rekombinačních center. Vpravíme-li křemíkového nebo germaniového krystalu do
nory, získáme vodivost typu (článek 1). Dráha, kterou proběhne při difúzi elektron oblasti je
při vyšší teplotě delší.
7. Atom křemíku nebo germania čtyři valenční elektrony
(srovnejte popř.
b) straně oblasti typu náboj kladný (+)•
KONTROLNÍ TEST A
1.
2.
271
. našem případě, který jsme podrobně sledovali, přechodu PN
(článek 9), obecně všude tam, kde spolu sousedí oblasti různou mírou
dotace (článek 10).
8.
3. příčina difúzni proud,
b) l-> následek difúzni napětí.II
Kontrolní otázky:
1.
3. kapitolu článek 4).
5. Pojem „generace páru nosičů nábojů“ znamená současný vznik
jednoho volného elektronu jedné díry.
9.
5.
4. a), vzniku difúzního proudu nutný rozdíl koncentrací,
který snaží volné nosiče nábojů vyrovnat při svém pohybu, vyvolaném
teplotou krystalu (článek 7)
