Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
7.
11. našem případě, který jsme podrobně sledovali, přechodu PN
(článek 9), obecně všude tam, kde spolu sousedí oblasti různou mírou
dotace (článek 10).
b) straně oblasti typu náboj kladný (+)•
KONTROLNÍ TEST A
1., tzn.II
Kontrolní otázky:
1. Páry elektron díra generují nejvíce rekombinačních
centrech (článek 4).
2. Pojem „generace páru nosičů nábojů“ znamená současný vznik
jednoho volného elektronu jedné díry.
5.
6.
3. Chybějící elektron krystalové mříži nazývame díra. Akceptory dodává bor, hliník, galium, indium,
b) Donory dodává fosfor, arzén, antimon. příčina difúzni proud,
b) l-> následek difúzni napětí. Doba života delší krystalu obsahujícím menší počet
rekombinačních center. 2.
5. Atom křemíku nebo germania čtyři valenční elektrony
(srovnejte popř.
6. Dráha, kterou proběhne při difúzi elektron oblasti je
při vyšší teplotě delší.
4. Měrný odpor křemíku germania nezávisí době života
nosičů nábojů (článek 5).
8.
271
. případě velkého odporu polovodiče jedná materiál
slabé dotovaný.
9.
2. Difúzni napětí přechodu nemůžeme změřit galva-
nometrem. Vpravíme-li křemíkového nebo germaniového krystalu do
nory, získáme vodivost typu (článek 1). Ano, počet rekombinačních pochodů časové jednotce závisí
silně teplotě.
3. straně oblasti typu náboj záporný (—).
4.
10. Difúzni proudy, vyvolané pohybem děr elektronů, mají
stejný směr. a), vzniku difúzního proudu nutný rozdíl koncentrací,
který snaží volné nosiče nábojů vyrovnat při svém pohybu, vyvolaném
teplotou krystalu (článek 7). kapitolu článek 4)
