Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 270 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
straně oblasti typu náboj záporný (—). Dráha, kterou proběhne při difúzi elektron oblasti je při vyšší teplotě delší. příčina difúzni proud, b) l-> následek difúzni napětí. 5. 10. a), vzniku difúzního proudu nutný rozdíl koncentrací, který snaží volné nosiče nábojů vyrovnat při svém pohybu, vyvolaném teplotou krystalu (článek 7). Difúzni proudy, vyvolané pohybem děr elektronů, mají stejný směr. Akceptory dodává bor, hliník, galium, indium, b) Donory dodává fosfor, arzén, antimon. 2. Páry elektron díra generují nejvíce rekombinačních centrech (článek 4). 4. 8. Pojem „generace páru nosičů nábojů“ znamená současný vznik jednoho volného elektronu jedné díry. 7. 3. případě velkého odporu polovodiče jedná materiál slabé dotovaný. 4. 2.II Kontrolní otázky: 1. 6. Doba života delší krystalu obsahujícím menší počet rekombinačních center. Atom křemíku nebo germania čtyři valenční elektrony (srovnejte popř. Ano, počet rekombinačních pochodů časové jednotce závisí silně teplotě. 9. 271 . 2. 5. Difúzni napětí přechodu nemůžeme změřit galva- nometrem. Měrný odpor křemíku germania nezávisí době života nosičů nábojů (článek 5). 6. Vpravíme-li křemíkového nebo germaniového krystalu do­ nory, získáme vodivost typu (článek 1). 11. kapitolu článek 4). Chybějící elektron krystalové mříži nazývame díra. 3., tzn. b) straně oblasti typu náboj kladný (+)• KONTROLNÍ TEST A 1. našem případě, který jsme podrobně sledovali, přechodu PN (článek 9), obecně všude tam, kde spolu sousedí oblasti různou mírou dotace (článek 10)