Diagnostika poruch izolací elektrických strojů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha se zabývá problematikou sledování provozního stárnutí izolačních systémů elektrických strojů a přístrojů na vysoké napětí. Podrobně jsou popsány diagnostické metody a důraz je kladen na jejich použití v praxi. Je určena inženýrům, projektantům, provozním technikům z elektráren, rozvoden a výrobních podniků. Budou ji moci používat i studující vysokých škol a středních škol příslušných specializací.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Alexandr Barták, Luděk Mravináč, Jacek Neumann, Jan Vařák

Strana 193 z 252

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tím ale zvětšuje parazitní kapacita mezi stíněními, která paralelně připojena odporu R Proto tento způsob nalezl uplatnění především transformátorových můstků, kde velikost impedance malá. Vztah (195) lze dosazením Cp0 Cmtg <5m Cp0 (5p0 upravit na A j-S (AC ACj [%] (196) Ze vztahu (196) jsou nejvhodnější poměry mezi měřenou parazitní kapacitou dobře patrny. 95). Přesnost měření zvláště malých kapacit ovlivněna také tím, zda dochází k ionizaci přívodního vodice; malý průměr vodice může měření kapacit řádově ve stovkách znemožnit. Při práci neznámým můstkem třeba měřením naprázdno proti zemi ověřit, zda stínění napájecího kabelu dokonalé. Aby omezil vliv vnějších rušivých polí přesně definovaly kapacity stínění proti zemi, používá ještě druhé stínění, které uzemněno.Protože obvykle chyba měření větší než AC, bude pro přesnost měření rozhodující poměr p0tg 8p0, který být největší. znamená, napájecí kabel vysokonapěťový transformátor opatřen stíněním, které připojeno nízkonapěťové svorce zdroje. opačném případě nutná početní oprava, 196 . ck Třetí možnost omezení vlivů parazitních kapacit přívodního kabelu napájecího vodice proti zemi zvláště při nižším měřicím napětím (asi kV) spočívá připojení parazitních kapacit paralelně napájecímu zdroji stíněním, které potenciál jeho nízkonapěťové svorky (obr