Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
V polovodiči neustále dochází spojování volných elektronů děr,
tj. Jeho
vodivost ovšem zvětšila. Jeho tři valenční
elektrony tvoří elektronové dvojice třemi sousedními atom křem íku.
3.
Protože atom příměsi zaujím mřížce polohu čtyřm ocného prvku, vy
půjčuje své čtvrté elektronové vazbě elektron jiného atom Tím ovšem
na ístě uvolněného elektronu vzniká díra, která může volně pohybovat. jaké skupiny dělíme tuhé látky podle konduktivity?
2. fosfor, arzén, vizmut. rekom binaci.
N avenek krystal opět neutrální, obsahuje však kladně nabité nosiče
elektrického proudu, tedy elektricky vodivý. Polovodič děrovou vo
divostí nazývám polovodič typu příměs nazýváme akceptor. Volným elektronům vrstvě vol
ným děrám vrstvě (tj. Přesunu elektronů děr
při vyrovnávání koncentrací říkám difúze. akreslete krystalovou řížku krystalu germ ania, němž nejsou žádné
přím ěsi
69
. Vysvětlete pojmy vlastní vodivost nevlastní vodivost polovodičů. Vlivem přijím ané tepelné energie ale stále uvolňují
nové dvojice. Jako donory můžeme použít jiné prvky
z skupiny, např. těm nosičům, které určují typ vodivosti) říkám e
majoritní nosiče. Počet nosičů nazý
vám koncentrace. Cizím atom mřížce atom india. tom třeba poznam enat, krystal křem íku nave
nek neutrální jako předtím neboť počet kladně nabitých nepohyblivých
donorú vyvážen stejným počtem volně pohybujících elektronů. Při ustálené teplotě počet rekom binovaných nově vzni
kajících dvojic stejný.
2.
Přím atom trojm ocného prvku mřížkové struktury křem iku vi
dím obr. Volným děrám vrstvě volným elektronům vrst
vě říkám minoritní nosiče..
K onduktivita polovodičů typu dána počtem nosičů, tj. 37. volných
děr volných elektronů, objem ové jednotce.
Při přípravě polovodiče typu (popř.3.2. Rozdíl koncentrací volných nosičů elektrického náboje
v polovodiči vyrovnává, takže díry elektrony přemísťují míst
s větší koncentrací míst menší koncentrací. Takový krystal vodivost
toho typu, jehož příměs převažuje. bór, galium, hliník. y
1.nazývá donor. rom ě
india ůžem jako akceptor použít jiné prvky, např. typu zpravidla nepodaří
vnést ateriálu jen příměsi jednoho typu, ale obvykle mřížky krys
talu vnikne nežádoucí přím opačného typu
