Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
N avenek krystal opět neutrální, obsahuje však kladně nabité nosiče
elektrického proudu, tedy elektricky vodivý.
3. volných
děr volných elektronů, objem ové jednotce.2. Jeho tři valenční
elektrony tvoří elektronové dvojice třemi sousedními atom křem íku. Vlivem přijím ané tepelné energie ale stále uvolňují
nové dvojice. těm nosičům, které určují typ vodivosti) říkám e
majoritní nosiče. fosfor, arzén, vizmut. Polovodič děrovou vo
divostí nazývám polovodič typu příměs nazýváme akceptor. bór, galium, hliník. tom třeba poznam enat, krystal křem íku nave
nek neutrální jako předtím neboť počet kladně nabitých nepohyblivých
donorú vyvážen stejným počtem volně pohybujících elektronů. Jeho
vodivost ovšem zvětšila. rekom binaci. y
1. Vysvětlete pojmy vlastní vodivost nevlastní vodivost polovodičů.3. Při ustálené teplotě počet rekom binovaných nově vzni
kajících dvojic stejný. Takový krystal vodivost
toho typu, jehož příměs převažuje. Volným děrám vrstvě volným elektronům vrst
vě říkám minoritní nosiče.
2. Jako donory můžeme použít jiné prvky
z skupiny, např. jaké skupiny dělíme tuhé látky podle konduktivity?
2. 37.
Protože atom příměsi zaujím mřížce polohu čtyřm ocného prvku, vy
půjčuje své čtvrté elektronové vazbě elektron jiného atom Tím ovšem
na ístě uvolněného elektronu vzniká díra, která může volně pohybovat. Rozdíl koncentrací volných nosičů elektrického náboje
v polovodiči vyrovnává, takže díry elektrony přemísťují míst
s větší koncentrací míst menší koncentrací. typu zpravidla nepodaří
vnést ateriálu jen příměsi jednoho typu, ale obvykle mřížky krys
talu vnikne nežádoucí přím opačného typu. Přesunu elektronů děr
při vyrovnávání koncentrací říkám difúze. akreslete krystalovou řížku krystalu germ ania, němž nejsou žádné
přím ěsi
69
.
Přím atom trojm ocného prvku mřížkové struktury křem iku vi
dím obr. Volným elektronům vrstvě vol
ným děrám vrstvě (tj.
V polovodiči neustále dochází spojování volných elektronů děr,
tj. Počet nosičů nazý
vám koncentrace.nazývá donor.
K onduktivita polovodičů typu dána počtem nosičů, tj.
Při přípravě polovodiče typu (popř.. Cizím atom mřížce atom india. rom ě
india ůžem jako akceptor použít jiné prvky, např
