Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 67 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
rekom binaci. volných děr volných elektronů, objem ové jednotce. Při ustálené teplotě počet rekom binovaných nově vzni­ kajících dvojic stejný.2. Volným děrám vrstvě volným elektronům vrst­ vě říkám minoritní nosiče. Jeho vodivost ovšem zvětšila.3. Vysvětlete pojmy vlastní vodivost nevlastní vodivost polovodičů. 3. V polovodiči neustále dochází spojování volných elektronů děr, tj. typu zpravidla nepodaří vnést ateriálu jen příměsi jednoho typu, ale obvykle mřížky krys­ talu vnikne nežádoucí přím opačného typu. rom ě india ůžem jako akceptor použít jiné prvky, např. bór, galium, hliník. akreslete krystalovou řížku krystalu germ ania, němž nejsou žádné přím ěsi 69 . Vlivem přijím ané tepelné energie ale stále uvolňují nové dvojice. y 1. fosfor, arzén, vizmut. jaké skupiny dělíme tuhé látky podle konduktivity? 2.nazývá donor. Cizím atom mřížce atom india. Při přípravě polovodiče typu (popř. Přím atom trojm ocného prvku mřížkové struktury křem iku vi­ dím obr. Protože atom příměsi zaujím mřížce polohu čtyřm ocného prvku, vy­ půjčuje své čtvrté elektronové vazbě elektron jiného atom Tím ovšem na ístě uvolněného elektronu vzniká díra, která může volně pohybovat. Počet nosičů nazý­ vám koncentrace. tom třeba poznam enat, krystal křem íku nave­ nek neutrální jako předtím neboť počet kladně nabitých nepohyblivých donorú vyvážen stejným počtem volně pohybujících elektronů. Přesunu elektronů děr při vyrovnávání koncentrací říkám difúze. 37. těm nosičům, které určují typ vodivosti) říkám e majoritní nosiče. Volným elektronům vrstvě vol­ ným děrám vrstvě (tj. 2. Rozdíl koncentrací volných nosičů elektrického náboje v polovodiči vyrovnává, takže díry elektrony přemísťují míst s větší koncentrací míst menší koncentrací. Polovodič děrovou vo­ divostí nazývám polovodič typu příměs nazýváme akceptor. Jako donory můžeme použít jiné prvky z skupiny, např. Jeho tři valenční elektrony tvoří elektronové dvojice třemi sousedními atom křem íku. K onduktivita polovodičů typu dána počtem nosičů, tj.. Takový krystal vodivost toho typu, jehož příměs převažuje. N avenek krystal opět neutrální, obsahuje však kladně nabité nosiče elektrického proudu, tedy elektricky vodivý