Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Tranzistor MOS obohacováním strukturu (obr.
Styk kov polovodič chová stejně jako . Výstupní charakteristika
tranzistoru MOS ochuzováním
Selenový usměrňovač
Na nosnou destičku poniklovaného železa nebo hliníku, tlustou asi
I (obr. Ačkoliv teorie přechodu polovodič kov
byla známa již konci minulého století, průmyslovému využití došlo
teprve padesáti letech.
Struktur MOS používá integrovaných obvodech.
118
. e
Tímto názvem označují selenové kuproxidové usměrňovače. 90), napaří tenká vrstva selenu příměsí brómu, chlóru nebo
jódu.
2. 89. 88.
Destičky jsou kruhové nebo čtvercové, závěrné napětí jedné destičky
je Proudové zatíženi malé, asi 150 niA Destičky mohou
podle potřeby zapojovat série (při požadavku vyššího závěrného napětí)
nebo paralelně (při potřebě většího proudu).styk dvou polovodičových
vrstev, rozhraní také dochází rekombinaci volných nosičů
a vytvoří potenciálová přehrada. Tranzistory MOS:
a) ochuzováním, obohacováním
Obr.6. pevné fázi. Usměrňovači vlastnosti nich
vznikají styku polovodič kov.
G C
SiO
Obr. 88b) bez vodivého
kanálu. Vlivem příčného elektrického pole kanál utváří rozšiřuje. Byly
to první usměrňovače tzv. tuto vrstvu potom nanese vrstva olova kadmiem. Přechod
propouští proud směru selenu olova.
Polovodičem jemný polykrystalický selen kovem olovo; jako
polovodič mohou použít oxidy mědi jako kov měď. Přechod
vznikne mezi olovem selenem tepelném zpracování destičky.14
