Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Tranzistory MOS:
a) ochuzováním, obohacováním
Obr. 88b) bez vodivého
kanálu.
Struktur MOS používá integrovaných obvodech.
2. Přechod
vznikne mezi olovem selenem tepelném zpracování destičky.
Destičky jsou kruhové nebo čtvercové, závěrné napětí jedné destičky
je Proudové zatíženi malé, asi 150 niA Destičky mohou
podle potřeby zapojovat série (při požadavku vyššího závěrného napětí)
nebo paralelně (při potřebě většího proudu). Usměrňovači vlastnosti nich
vznikají styku polovodič kov.
Polovodičem jemný polykrystalický selen kovem olovo; jako
polovodič mohou použít oxidy mědi jako kov měď.
Styk kov polovodič chová stejně jako .
118
. tuto vrstvu potom nanese vrstva olova kadmiem. e
Tímto názvem označují selenové kuproxidové usměrňovače. 89.6. Přechod
propouští proud směru selenu olova.styk dvou polovodičových
vrstev, rozhraní také dochází rekombinaci volných nosičů
a vytvoří potenciálová přehrada. Ačkoliv teorie přechodu polovodič kov
byla známa již konci minulého století, průmyslovému využití došlo
teprve padesáti letech. 90), napaří tenká vrstva selenu příměsí brómu, chlóru nebo
jódu. Byly
to první usměrňovače tzv. pevné fázi. 88.Tranzistor MOS obohacováním strukturu (obr. Vlivem příčného elektrického pole kanál utváří rozšiřuje.
G C
SiO
Obr. Výstupní charakteristika
tranzistoru MOS ochuzováním
Selenový usměrňovač
Na nosnou destičku poniklovaného železa nebo hliníku, tlustou asi
I (obr.14
