Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
G C
SiO
Obr.
Destičky jsou kruhové nebo čtvercové, závěrné napětí jedné destičky
je Proudové zatíženi malé, asi 150 niA Destičky mohou
podle potřeby zapojovat série (při požadavku vyššího závěrného napětí)
nebo paralelně (při potřebě většího proudu). tuto vrstvu potom nanese vrstva olova kadmiem. Usměrňovači vlastnosti nich
vznikají styku polovodič kov. Výstupní charakteristika
tranzistoru MOS ochuzováním
Selenový usměrňovač
Na nosnou destičku poniklovaného železa nebo hliníku, tlustou asi
I (obr. e
Tímto názvem označují selenové kuproxidové usměrňovače.14.
Struktur MOS používá integrovaných obvodech. pevné fázi.
Styk kov polovodič chová stejně jako .
Polovodičem jemný polykrystalický selen kovem olovo; jako
polovodič mohou použít oxidy mědi jako kov měď. Tranzistory MOS:
a) ochuzováním, obohacováním
Obr. 90), napaří tenká vrstva selenu příměsí brómu, chlóru nebo
jódu. 88b) bez vodivého
kanálu.6. 88.Tranzistor MOS obohacováním strukturu (obr. Přechod
propouští proud směru selenu olova. Vlivem příčného elektrického pole kanál utváří rozšiřuje. Přechod
vznikne mezi olovem selenem tepelném zpracování destičky. Ačkoliv teorie přechodu polovodič kov
byla známa již konci minulého století, průmyslovému využití došlo
teprve padesáti letech. Byly
to první usměrňovače tzv.
118
. 89.
2.styk dvou polovodičových
vrstev, rozhraní také dochází rekombinaci volných nosičů
a vytvoří potenciálová přehrada
