Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 116 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
90), napaří tenká vrstva selenu příměsí brómu, chlóru nebo jódu. 118 . Byly to první usměrňovače tzv.6. Destičky jsou kruhové nebo čtvercové, závěrné napětí jedné destičky je Proudové zatíženi malé, asi 150 niA Destičky mohou podle potřeby zapojovat série (při požadavku vyššího závěrného napětí) nebo paralelně (při potřebě většího proudu). G C SiO Obr. Struktur MOS používá integrovaných obvodech. 88. Polovodičem jemný polykrystalický selen kovem olovo; jako polovodič mohou použít oxidy mědi jako kov měď. e Tímto názvem označují selenové kuproxidové usměrňovače. Přechod propouští proud směru selenu olova. Styk kov polovodič chová stejně jako . tuto vrstvu potom nanese vrstva olova kadmiem. Přechod vznikne mezi olovem selenem tepelném zpracování destičky. Vlivem příčného elektrického pole kanál utváří rozšiřuje. pevné fázi. 88b) bez vodivého kanálu. 89. Výstupní charakteristika tranzistoru MOS ochuzováním Selenový usměrňovač Na nosnou destičku poniklovaného železa nebo hliníku, tlustou asi I (obr. Ačkoliv teorie přechodu polovodič kov byla známa již konci minulého století, průmyslovému využití došlo teprve padesáti letech. Tranzistory MOS: a) ochuzováním, obohacováním Obr. Usměrňovači vlastnosti nich vznikají styku polovodič kov. 2.14.styk dvou polovodičových vrstev, rozhraní také dochází rekombinaci volných nosičů a vytvoří potenciálová přehrada.Tranzistor MOS obohacováním strukturu (obr