Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 116 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Destičky jsou kruhové nebo čtvercové, závěrné napětí jedné destičky je Proudové zatíženi malé, asi 150 niA Destičky mohou podle potřeby zapojovat série (při požadavku vyššího závěrného napětí) nebo paralelně (při potřebě většího proudu). 89. Přechod propouští proud směru selenu olova. e Tímto názvem označují selenové kuproxidové usměrňovače.Tranzistor MOS obohacováním strukturu (obr. 2. Přechod vznikne mezi olovem selenem tepelném zpracování destičky. Polovodičem jemný polykrystalický selen kovem olovo; jako polovodič mohou použít oxidy mědi jako kov měď. Byly to první usměrňovače tzv. 118 . 88.6. Vlivem příčného elektrického pole kanál utváří rozšiřuje. Tranzistory MOS: a) ochuzováním, obohacováním Obr.14. 88b) bez vodivého kanálu.styk dvou polovodičových vrstev, rozhraní také dochází rekombinaci volných nosičů a vytvoří potenciálová přehrada. G C SiO Obr. Styk kov polovodič chová stejně jako . tuto vrstvu potom nanese vrstva olova kadmiem. pevné fázi. 90), napaří tenká vrstva selenu příměsí brómu, chlóru nebo jódu. Výstupní charakteristika tranzistoru MOS ochuzováním Selenový usměrňovač Na nosnou destičku poniklovaného železa nebo hliníku, tlustou asi I (obr. Usměrňovači vlastnosti nich vznikají styku polovodič kov. Ačkoliv teorie přechodu polovodič kov byla známa již konci minulého století, průmyslovému využití došlo teprve padesáti letech. Struktur MOS používá integrovaných obvodech