Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 115 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Výstupní charakteristika tranzistoru MOS ochuzováním je na obr. Tranzistor MOS Jeho označení anglického Metal Oxide Semiconductor (kov oxid - - polovodič). 87b zapojen tranzistor FET typu obvodu. Zdroje jsou připojeny tranzistoru tak, že oba přechody, jsou polarizovány zpětném směru. R a) O br. Přivedením kladného napětí hradlo jsou vtahovány elektrony vrstvy vrstvy P a vodivý kanál zužuje. Připojením kladného napětí mezi hradlo emitor (tj. 89. ranzistor typu PN a) struktura, zapojeni obvodu 117 . také tranzistor řízený elektrickým polem, kterého je hradlo izolováno vodivého kanálu vrstvou oxidu křemičitého. Tranzistory ochuzováním mají elektrody propojeny vo­ divým kanálem, který pokryt oxidem křemičitým (obr. zpětném směru) oba přechody mohou zvětšovat potenciálové přehrady na rozhraní obou přechodů natolik, úplně uzavřou vodivý kanál mezi em itorem kolektorem. Rozeznáváme dva typy tranzistorů MOS: a) tranzistory MOS ochuzováním, b) tranzistory MOS obohacováním. Přivedením záporného napětí naopak kanál rozšiřuje. Na obr. 88a). 87.dam zužovat nebo úplně uzavřít