Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 115 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Přivedením kladného napětí hradlo jsou vtahovány elektrony vrstvy vrstvy P a vodivý kanál zužuje. Tranzistor MOS Jeho označení anglického Metal Oxide Semiconductor (kov oxid - - polovodič).dam zužovat nebo úplně uzavřít. Zdroje jsou připojeny tranzistoru tak, že oba přechody, jsou polarizovány zpětném směru. Přivedením záporného napětí naopak kanál rozšiřuje. 87. Připojením kladného napětí mezi hradlo emitor (tj. Rozeznáváme dva typy tranzistorů MOS: a) tranzistory MOS ochuzováním, b) tranzistory MOS obohacováním. ranzistor typu PN a) struktura, zapojeni obvodu 117 . R a) O br. zpětném směru) oba přechody mohou zvětšovat potenciálové přehrady na rozhraní obou přechodů natolik, úplně uzavřou vodivý kanál mezi em itorem kolektorem. 88a). Výstupní charakteristika tranzistoru MOS ochuzováním je na obr. Tranzistory ochuzováním mají elektrody propojeny vo­ divým kanálem, který pokryt oxidem křemičitým (obr. Na obr. 89. 87b zapojen tranzistor FET typu obvodu. také tranzistor řízený elektrickým polem, kterého je hradlo izolováno vodivého kanálu vrstvou oxidu křemičitého