Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
89. také tranzistor řízený elektrickým polem, kterého je
hradlo izolováno vodivého kanálu vrstvou oxidu křemičitého. zpětném
směru) oba přechody mohou zvětšovat potenciálové přehrady
na rozhraní obou přechodů natolik, úplně uzavřou vodivý kanál mezi
em itorem kolektorem.dam zužovat nebo úplně uzavřít.
Připojením kladného napětí mezi hradlo emitor (tj. Přivedením záporného napětí naopak kanál
rozšiřuje. 87.
Na obr. Přivedením
kladného napětí hradlo jsou vtahovány elektrony vrstvy vrstvy P
a vodivý kanál zužuje. 87b zapojen tranzistor FET typu obvodu. Zdroje jsou připojeny tranzistoru tak,
že oba přechody, jsou polarizovány zpětném směru. ranzistor typu PN
a) struktura, zapojeni obvodu
117
. 88a). Výstupní charakteristika tranzistoru MOS ochuzováním je
na obr.
Tranzistor MOS
Jeho označení anglického Metal Oxide Semiconductor (kov oxid -
- polovodič).
R
a)
O br.
Rozeznáváme dva typy tranzistorů MOS:
a) tranzistory MOS ochuzováním,
b) tranzistory MOS obohacováním.
Tranzistory ochuzováním mají elektrody propojeny vo
divým kanálem, který pokryt oxidem křemičitým (obr
