Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
89.
Připojením kladného napětí mezi hradlo emitor (tj.
Na obr.
R
a)
O br. 87b zapojen tranzistor FET typu obvodu. zpětném
směru) oba přechody mohou zvětšovat potenciálové přehrady
na rozhraní obou přechodů natolik, úplně uzavřou vodivý kanál mezi
em itorem kolektorem.
Tranzistor MOS
Jeho označení anglického Metal Oxide Semiconductor (kov oxid -
- polovodič). Přivedením
kladného napětí hradlo jsou vtahovány elektrony vrstvy vrstvy P
a vodivý kanál zužuje. Přivedením záporného napětí naopak kanál
rozšiřuje. Výstupní charakteristika tranzistoru MOS ochuzováním je
na obr. ranzistor typu PN
a) struktura, zapojeni obvodu
117
.
Rozeznáváme dva typy tranzistorů MOS:
a) tranzistory MOS ochuzováním,
b) tranzistory MOS obohacováním. také tranzistor řízený elektrickým polem, kterého je
hradlo izolováno vodivého kanálu vrstvou oxidu křemičitého. Zdroje jsou připojeny tranzistoru tak,
že oba přechody, jsou polarizovány zpětném směru.dam zužovat nebo úplně uzavřít. 87. 88a).
Tranzistory ochuzováním mají elektrody propojeny vo
divým kanálem, který pokryt oxidem křemičitým (obr
