Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Strana 74 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Giacolletův model tranzistoru neboli tzv. Zde gÍQ značí diferenciální vodivost diody bodě kdežto CrQa CfQjsou hodnoty kapacity tomto bodě. Statické charakteristiky linearizovaného modelu tranzistoru K K Obr. charakte­ ristikách jsou uvedeny hodnoty odporů udávajících jejich strmost. Jejich vzájemnou kombinací lze vytvořit úsecích lineární model vhodný např. Při simulaci hlediska přenosu malých střídavých signálů můžeme modelu na obr. 51. 49b vypustit zdroj fQ. 50. jsou statické charakteristiky linearizovaného modelu.Pro tuto oblast typická polarizace přechodu emitor-báze propustném směru, kdežto přechod kolektor-báze polarizován směru nepropustném. pro zjednodušenou simulaci spínacích impulsních obvodů. 51. 52b je odpovídající tzv. obr. obr. ^KK RBB B Q—i I- SfQ a) b) Obr. 52a. Příklady takovýchto modelů jsou obr. obr. 49b je tentýž model linearizován okolí určitého klidového pracovního bodu ležícího v aktivní oblasti charakteristik tranzistoru (viz obr. Linearizovaný Ebersův Mollův model zjednodušený pro oblast nasycení, b) uzavření inverze Obdobným způsobem bychom mohli hledat zjednodušené modely tranzistorů pro další oblasti jejich charakteristik. Dostaneme tak model, který obr. model tvaru smíše­ ného článku jenž velmi oblíben při návrzích lineárních tranzistorových zesilo­ 75, . 47)

---

---