Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Strana 74 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

obr. obr. Jejich vzájemnou kombinací lze vytvořit úsecích lineární model vhodný např. charakte­ ristikách jsou uvedeny hodnoty odporů udávajících jejich strmost. Zde gÍQ značí diferenciální vodivost diody bodě kdežto CrQa CfQjsou hodnoty kapacity tomto bodě. model tvaru smíše­ ného článku jenž velmi oblíben při návrzích lineárních tranzistorových zesilo­ 75, . 51. 52b je odpovídající tzv. 47). obr. 50. Statické charakteristiky linearizovaného modelu tranzistoru K K Obr. pro zjednodušenou simulaci spínacích impulsních obvodů. Linearizovaný Ebersův Mollův model zjednodušený pro oblast nasycení, b) uzavření inverze Obdobným způsobem bychom mohli hledat zjednodušené modely tranzistorů pro další oblasti jejich charakteristik. 51. 52a. Giacolletův model tranzistoru neboli tzv. ^KK RBB B Q—i I- SfQ a) b) Obr. Dostaneme tak model, který obr. Příklady takovýchto modelů jsou obr. 49b vypustit zdroj fQ.Pro tuto oblast typická polarizace přechodu emitor-báze propustném směru, kdežto přechod kolektor-báze polarizován směru nepropustném. jsou statické charakteristiky linearizovaného modelu. Při simulaci hlediska přenosu malých střídavých signálů můžeme modelu na obr. 49b je tentýž model linearizován okolí určitého klidového pracovního bodu ležícího v aktivní oblasti charakteristik tranzistoru (viz obr

---

---