Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Strana 74 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Příklady takovýchto modelů jsou obr. charakte­ ristikách jsou uvedeny hodnoty odporů udávajících jejich strmost. 47). Linearizovaný Ebersův Mollův model zjednodušený pro oblast nasycení, b) uzavření inverze Obdobným způsobem bychom mohli hledat zjednodušené modely tranzistorů pro další oblasti jejich charakteristik.Pro tuto oblast typická polarizace přechodu emitor-báze propustném směru, kdežto přechod kolektor-báze polarizován směru nepropustném. 51. obr. 49b je tentýž model linearizován okolí určitého klidového pracovního bodu ležícího v aktivní oblasti charakteristik tranzistoru (viz obr. Giacolletův model tranzistoru neboli tzv. ^KK RBB B Q—i I- SfQ a) b) Obr. 50. obr. 52b je odpovídající tzv. 49b vypustit zdroj fQ. Jejich vzájemnou kombinací lze vytvořit úsecích lineární model vhodný např. jsou statické charakteristiky linearizovaného modelu. 51. pro zjednodušenou simulaci spínacích impulsních obvodů. model tvaru smíše­ ného článku jenž velmi oblíben při návrzích lineárních tranzistorových zesilo­ 75, . Dostaneme tak model, který obr. Zde gÍQ značí diferenciální vodivost diody bodě kdežto CrQa CfQjsou hodnoty kapacity tomto bodě. Statické charakteristiky linearizovaného modelu tranzistoru K K Obr. Při simulaci hlediska přenosu malých střídavých signálů můžeme modelu na obr. obr. 52a

---

---