Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Strana 74 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Giacolletův model tranzistoru neboli tzv. 49b je tentýž model linearizován okolí určitého klidového pracovního bodu ležícího v aktivní oblasti charakteristik tranzistoru (viz obr.Pro tuto oblast typická polarizace přechodu emitor-báze propustném směru, kdežto přechod kolektor-báze polarizován směru nepropustném. ^KK RBB B Q—i I- SfQ a) b) Obr. Linearizovaný Ebersův Mollův model zjednodušený pro oblast nasycení, b) uzavření inverze Obdobným způsobem bychom mohli hledat zjednodušené modely tranzistorů pro další oblasti jejich charakteristik. obr. 47). 49b vypustit zdroj fQ. Dostaneme tak model, který obr. model tvaru smíše­ ného článku jenž velmi oblíben při návrzích lineárních tranzistorových zesilo­ 75, . obr. pro zjednodušenou simulaci spínacích impulsních obvodů. Statické charakteristiky linearizovaného modelu tranzistoru K K Obr. 52b je odpovídající tzv. obr. 51. Jejich vzájemnou kombinací lze vytvořit úsecích lineární model vhodný např. jsou statické charakteristiky linearizovaného modelu. 51. Při simulaci hlediska přenosu malých střídavých signálů můžeme modelu na obr. Zde gÍQ značí diferenciální vodivost diody bodě kdežto CrQa CfQjsou hodnoty kapacity tomto bodě. charakte­ ristikách jsou uvedeny hodnoty odporů udávajících jejich strmost. 52a. Příklady takovýchto modelů jsou obr. 50

---

---