Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Strana 74 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

51. model tvaru smíše­ ného článku jenž velmi oblíben při návrzích lineárních tranzistorových zesilo­ 75, . pro zjednodušenou simulaci spínacích impulsních obvodů. 47). obr. Dostaneme tak model, který obr. 51. Statické charakteristiky linearizovaného modelu tranzistoru K K Obr. 50. 49b vypustit zdroj fQ. Linearizovaný Ebersův Mollův model zjednodušený pro oblast nasycení, b) uzavření inverze Obdobným způsobem bychom mohli hledat zjednodušené modely tranzistorů pro další oblasti jejich charakteristik. obr. charakte­ ristikách jsou uvedeny hodnoty odporů udávajících jejich strmost. Jejich vzájemnou kombinací lze vytvořit úsecích lineární model vhodný např. Giacolletův model tranzistoru neboli tzv.Pro tuto oblast typická polarizace přechodu emitor-báze propustném směru, kdežto přechod kolektor-báze polarizován směru nepropustném. jsou statické charakteristiky linearizovaného modelu. Příklady takovýchto modelů jsou obr. ^KK RBB B Q—i I- SfQ a) b) Obr. obr. Při simulaci hlediska přenosu malých střídavých signálů můžeme modelu na obr. 49b je tentýž model linearizován okolí určitého klidového pracovního bodu ležícího v aktivní oblasti charakteristik tranzistoru (viz obr. Zde gÍQ značí diferenciální vodivost diody bodě kdežto CrQa CfQjsou hodnoty kapacity tomto bodě. 52a. 52b je odpovídající tzv

---

---