Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 74 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Zde gÍQ značí diferenciální vodivost diody bodě kdežto CrQa CfQjsou hodnoty kapacity tomto bodě. charakte­ ristikách jsou uvedeny hodnoty odporů udávajících jejich strmost. model tvaru smíše­ ného článku jenž velmi oblíben při návrzích lineárních tranzistorových zesilo­ 75, . Jejich vzájemnou kombinací lze vytvořit úsecích lineární model vhodný např. Linearizovaný Ebersův Mollův model zjednodušený pro oblast nasycení, b) uzavření inverze Obdobným způsobem bychom mohli hledat zjednodušené modely tranzistorů pro další oblasti jejich charakteristik. Při simulaci hlediska přenosu malých střídavých signálů můžeme modelu na obr. Giacolletův model tranzistoru neboli tzv.Pro tuto oblast typická polarizace přechodu emitor-báze propustném směru, kdežto přechod kolektor-báze polarizován směru nepropustném. 51. 51. 52b je odpovídající tzv. 49b je tentýž model linearizován okolí určitého klidového pracovního bodu ležícího v aktivní oblasti charakteristik tranzistoru (viz obr. Příklady takovýchto modelů jsou obr. ^KK RBB B Q—i I- SfQ a) b) Obr. obr. obr. 50. 52a. 49b vypustit zdroj fQ. Dostaneme tak model, který obr. jsou statické charakteristiky linearizovaného modelu. obr. Statické charakteristiky linearizovaného modelu tranzistoru K K Obr. pro zjednodušenou simulaci spínacích impulsních obvodů. 47)