Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
49 2. 53. 54. 52. Schematická značka,
b) fyzikální struktura tyristorú
2.8.2. 52a vyplývá, obě náhradní zapojení jsou ekvivalentní,
pokud platí
9 aí(íf0
^{Q S'fqO —%)
(2. modelu obr.vačů. Parametry
šumových zdrojů proudu jsou dány vztahy (2. Linearizovaný Ebersův Mollův model pro malé signály, Giacolletův model
tranzistoru
i
* B
^ ^
L
c žr
tBB
®fQ 1
ypf
X
“f a
) =
/fi|i
“rQ i
A
Go— 7
"fQ
A
jlp
Go— P
N
T
b)
Obr.
Tak např. Šumový model bipolárních
tranzistorů
Obr. Fyzikální struktura tyristorú spolu sjeho schematickou
značkou znázorněna obr.50). 52a získáme šumový model, jenž obr. Modely tyristorú
Jako příklad modelování typických silnoproudých polovodičových prvků uvedeme
základní modely tyristorú. 54. jsou typické průběhy jeho vstupní
76
.52)
Šumový model bipolárního tranzistoru pro simulaci přenosu malých střída
vých signálů nejčastěji vytváříme šumových modelů jeho jednotlivých prvků. obr. porovnání obr.
K
*KE
Bo— C
*fQ
Yorf/f
=r'
LT
■'rO
’fQ
R,KB
BB
R T------- 3-
fQ
" f
rQ
“ fQ
a) e
Obr. 53
