Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
53. 52a vyplývá, obě náhradní zapojení jsou ekvivalentní,
pokud platí
9 aí(íf0
^{Q S'fqO —%)
(2.50). modelu obr.
K
*KE
Bo— C
*fQ
Yorf/f
=r'
LT
■'rO
’fQ
R,KB
BB
R T------- 3-
fQ
" f
rQ
“ fQ
a) e
Obr. 52a získáme šumový model, jenž obr. Fyzikální struktura tyristorú spolu sjeho schematickou
značkou znázorněna obr.52)
Šumový model bipolárního tranzistoru pro simulaci přenosu malých střída
vých signálů nejčastěji vytváříme šumových modelů jeho jednotlivých prvků. 53. Šumový model bipolárních
tranzistorů
Obr.8. 54. 52. obr.49 2. Modely tyristorú
Jako příklad modelování typických silnoproudých polovodičových prvků uvedeme
základní modely tyristorú.2. 54. porovnání obr. Parametry
šumových zdrojů proudu jsou dány vztahy (2. Schematická značka,
b) fyzikální struktura tyristorú
2.
Tak např.vačů. jsou typické průběhy jeho vstupní
76
. Linearizovaný Ebersův Mollův model pro malé signály, Giacolletův model
tranzistoru
i
* B
^ ^
L
c žr
tBB
®fQ 1
ypf
X
“f a
) =
/fi|i
“rQ i
A
Go— 7
"fQ
A
jlp
Go— P
N
T
b)
Obr
