Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Schematická značka,
b) fyzikální struktura tyristorú
2. porovnání obr.
K
*KE
Bo— C
*fQ
Yorf/f
=r'
LT
■'rO
’fQ
R,KB
BB
R T------- 3-
fQ
" f
rQ
“ fQ
a) e
Obr. 52a vyplývá, obě náhradní zapojení jsou ekvivalentní,
pokud platí
9 aí(íf0
^{Q S'fqO —%)
(2. Linearizovaný Ebersův Mollův model pro malé signály, Giacolletův model
tranzistoru
i
* B
^ ^
L
c žr
tBB
®fQ 1
ypf
X
“f a
) =
/fi|i
“rQ i
A
Go— 7
"fQ
A
jlp
Go— P
N
T
b)
Obr.2. modelu obr. obr. 54. Šumový model bipolárních
tranzistorů
Obr.52)
Šumový model bipolárního tranzistoru pro simulaci přenosu malých střída
vých signálů nejčastěji vytváříme šumových modelů jeho jednotlivých prvků.49 2. Fyzikální struktura tyristorú spolu sjeho schematickou
značkou znázorněna obr.vačů. 52. jsou typické průběhy jeho vstupní
76
.8.50).
Tak např. 53. Modely tyristorú
Jako příklad modelování typických silnoproudých polovodičových prvků uvedeme
základní modely tyristorú. 54. Parametry
šumových zdrojů proudu jsou dány vztahy (2. 52a získáme šumový model, jenž obr. 53
