|
Kategorie: Kniha |
Tento dokument chci!
Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Strana 73 z 480
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
Ebersův Mollův model tranzistoru obr.
74
.
K
KB
BB
<t>:
u f
R
R,
KB
Bo---C
BB
*fQ
<M
© i'fQ
"'rQ
-fa
a) £
Obr. jsou injekční složky proudu označeny jako if
a /r, transportní složky jako ■ii in. Transportní model
lépe vystihuje fyzikální jevy tranzistoru snáze jej lze identifikovat měřením.
Rezistor modelu představuje odpor hmoty polovodiče tvořícího bázi
tranzistoru. aktivní
oblast charakteristik tranzistoru, níž tranzistor může působit jako zesilovač. obr.
Na obr. značně dokonalý nábojový model
bipolárního tranzistoru Gummela Poona. Typické hodnoty těchto
přenosů pohybují kolem 0,98 0,5. Jelikož tato závislost přitom modelu neuvažuje jen jako
lineární, ale berou úvahu další vztahy, Gummelův Poonův model interpre
tuje např.
transportní složku proudu. injekční složku proudu pře
chodů, část nosičů však proniká oblasti druhého přechodu tvoří zde tzv. Zjednodušeni Ebersova Mollová modelu pro aktivní oblast charakteristik
tranzistoru, linearizace tohoto modelu
Z transportního modelu vychází např. 49a Ebersův Mollův injekční model zjednodušen pro tzv.
Tzv. závislost statických dynamických vlastností tranzistoru kolektoro
vém proudu. 49. transportní model něho liší pouze popisem tím, základní považují
transportní složky proudu, kdežto injekční složky jsou odvozené.
Další předností transportního modelu je, jej lze snáze zdokonalovat tak, aby
věrněji vystihoval chování skutečného tranzistoru. označuje jako injekční. Jelikož Ebersův Mollův model vychází zjedno
dušujícího předpokladu, vzájemná závislost mezi injekčními transportními
složkami proudu lineární, může být tento fyzikální jev modelu respektován
dvěma zdroji proudu řízenými proudem přenosem ccf ocr.Při zapojení všech tří vývodů tranzistoru část nosičů náboje každého obou
přechodů sice rekombinuje oblasti báze tvoří tzv. Uvedený model založen před
pokladu, kolektorový proud tranzistoru závislý velikosti náboje nahroma
děného oblasti báze. Dynamické vlastnosti obou přechodů modelují nelineární kapacitory
C{ zbytkovou, difůzní bariérovou složkou kapacity obdobně jako případě
plošných polovodičových diod
