Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 73 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Transportní model lépe vystihuje fyzikální jevy tranzistoru snáze jej lze identifikovat měřením. Jelikož Ebersův Mollův model vychází zjedno­ dušujícího předpokladu, vzájemná závislost mezi injekčními transportními složkami proudu lineární, může být tento fyzikální jev modelu respektován dvěma zdroji proudu řízenými proudem přenosem ccf ocr. Tzv. transportní model něho liší pouze popisem tím, základní považují transportní složky proudu, kdežto injekční složky jsou odvozené. Zjednodušeni Ebersova Mollová modelu pro aktivní oblast charakteristik tranzistoru, linearizace tohoto modelu Z transportního modelu vychází např. Na obr. K KB BB <t>: u f R R, KB Bo---C BB *fQ <M © i'fQ "'rQ -fa a) £ Obr.Při zapojení všech tří vývodů tranzistoru část nosičů náboje každého obou přechodů sice rekombinuje oblasti báze tvoří tzv. značně dokonalý nábojový model bipolárního tranzistoru Gummela Poona. Rezistor modelu představuje odpor hmoty polovodiče tvořícího bázi tranzistoru. Další předností transportního modelu je, jej lze snáze zdokonalovat tak, aby věrněji vystihoval chování skutečného tranzistoru. Ebersův Mollův model tranzistoru obr. jsou injekční složky proudu označeny jako if a /r, transportní složky jako ■ii in. Dynamické vlastnosti obou přechodů modelují nelineární kapacitory C{ zbytkovou, difůzní bariérovou složkou kapacity obdobně jako případě plošných polovodičových diod. injekční složku proudu pře­ chodů, část nosičů však proniká oblasti druhého přechodu tvoří zde tzv. aktivní oblast charakteristik tranzistoru, níž tranzistor může působit jako zesilovač. Uvedený model založen před­ pokladu, kolektorový proud tranzistoru závislý velikosti náboje nahroma­ děného oblasti báze. označuje jako injekční. Typické hodnoty těchto přenosů pohybují kolem 0,98 0,5. Jelikož tato závislost přitom modelu neuvažuje jen jako lineární, ale berou úvahu další vztahy, Gummelův Poonův model interpre­ tuje např. 49a Ebersův Mollův injekční model zjednodušen pro tzv. transportní složku proudu. obr. závislost statických dynamických vlastností tranzistoru kolektoro­ vém proudu. 74 . 49