Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 73 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Dynamické vlastnosti obou přechodů modelují nelineární kapacitory C{ zbytkovou, difůzní bariérovou složkou kapacity obdobně jako případě plošných polovodičových diod. Jelikož Ebersův Mollův model vychází zjedno­ dušujícího předpokladu, vzájemná závislost mezi injekčními transportními složkami proudu lineární, může být tento fyzikální jev modelu respektován dvěma zdroji proudu řízenými proudem přenosem ccf ocr. Další předností transportního modelu je, jej lze snáze zdokonalovat tak, aby věrněji vystihoval chování skutečného tranzistoru. 74 . Jelikož tato závislost přitom modelu neuvažuje jen jako lineární, ale berou úvahu další vztahy, Gummelův Poonův model interpre­ tuje např. obr. Na obr. závislost statických dynamických vlastností tranzistoru kolektoro­ vém proudu. označuje jako injekční. Typické hodnoty těchto přenosů pohybují kolem 0,98 0,5. Transportní model lépe vystihuje fyzikální jevy tranzistoru snáze jej lze identifikovat měřením.Při zapojení všech tří vývodů tranzistoru část nosičů náboje každého obou přechodů sice rekombinuje oblasti báze tvoří tzv. jsou injekční složky proudu označeny jako if a /r, transportní složky jako ■ii in. Tzv. K KB BB <t>: u f R R, KB Bo---C BB *fQ <M © i'fQ "'rQ -fa a) £ Obr. značně dokonalý nábojový model bipolárního tranzistoru Gummela Poona. 49. Zjednodušeni Ebersova Mollová modelu pro aktivní oblast charakteristik tranzistoru, linearizace tohoto modelu Z transportního modelu vychází např. transportní model něho liší pouze popisem tím, základní považují transportní složky proudu, kdežto injekční složky jsou odvozené. transportní složku proudu. Uvedený model založen před­ pokladu, kolektorový proud tranzistoru závislý velikosti náboje nahroma­ děného oblasti báze. aktivní oblast charakteristik tranzistoru, níž tranzistor může působit jako zesilovač. Ebersův Mollův model tranzistoru obr. Rezistor modelu představuje odpor hmoty polovodiče tvořícího bázi tranzistoru. injekční složku proudu pře­ chodů, část nosičů však proniká oblasti druhého přechodu tvoří zde tzv. 49a Ebersův Mollův injekční model zjednodušen pro tzv