|
Kategorie: Kniha |
Tento dokument chci!
Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Strana 73 z 480
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
K
KB
BB
<t>:
u f
R
R,
KB
Bo---C
BB
*fQ
<M
© i'fQ
"'rQ
-fa
a) £
Obr. transportní model něho liší pouze popisem tím, základní považují
transportní složky proudu, kdežto injekční složky jsou odvozené. 49. aktivní
oblast charakteristik tranzistoru, níž tranzistor může působit jako zesilovač. závislost statických dynamických vlastností tranzistoru kolektoro
vém proudu. Zjednodušeni Ebersova Mollová modelu pro aktivní oblast charakteristik
tranzistoru, linearizace tohoto modelu
Z transportního modelu vychází např.
Ebersův Mollův model tranzistoru obr.
Tzv. injekční složku proudu pře
chodů, část nosičů však proniká oblasti druhého přechodu tvoří zde tzv.
Další předností transportního modelu je, jej lze snáze zdokonalovat tak, aby
věrněji vystihoval chování skutečného tranzistoru. Uvedený model založen před
pokladu, kolektorový proud tranzistoru závislý velikosti náboje nahroma
děného oblasti báze. Typické hodnoty těchto
přenosů pohybují kolem 0,98 0,5.
transportní složku proudu.
Na obr. Jelikož Ebersův Mollův model vychází zjedno
dušujícího předpokladu, vzájemná závislost mezi injekčními transportními
složkami proudu lineární, může být tento fyzikální jev modelu respektován
dvěma zdroji proudu řízenými proudem přenosem ccf ocr. označuje jako injekční.
74
. značně dokonalý nábojový model
bipolárního tranzistoru Gummela Poona. obr.Při zapojení všech tří vývodů tranzistoru část nosičů náboje každého obou
přechodů sice rekombinuje oblasti báze tvoří tzv.
Rezistor modelu představuje odpor hmoty polovodiče tvořícího bázi
tranzistoru. Transportní model
lépe vystihuje fyzikální jevy tranzistoru snáze jej lze identifikovat měřením. Jelikož tato závislost přitom modelu neuvažuje jen jako
lineární, ale berou úvahu další vztahy, Gummelův Poonův model interpre
tuje např. jsou injekční složky proudu označeny jako if
a /r, transportní složky jako ■ii in. Dynamické vlastnosti obou přechodů modelují nelineární kapacitory
C{ zbytkovou, difůzní bariérovou složkou kapacity obdobně jako případě
plošných polovodičových diod. 49a Ebersův Mollův injekční model zjednodušen pro tzv
