Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 67 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
okamžiku napětí diody zde bylo takové, že proud diody ustálil určité kladné hodnotě okamžiku skokem změnil smysl napětí diody. Obr. Proto tento odpor náhradním obvodu diody obr. Přesto, dioda potom polarizována nepropustném směru, vidíme, velikost jejího proudu zůstala zachována rovněž změnil pouze jeho smysl. 41a ukazuje, jak toto hromadění nosičů projevuje při oka­ mžité změně napětí diody. Vliv hromadění náboje oblasti přechodu PN.10“ náboj elektronu, k 1,38. 10-23 J/K Boltzmannova konstanta, $ teplota přechodu PN, M emisní konstanta diody závislá její konstrukci, Ul teplotní napětí přechodu diody. Teprve určité tzv. Pro velká záporná napětí závěrné oblasti podle difúzní teorie proud exponenciální diody —Is. obr. a) b) Obr. době zotavení diody její proud začne 68 . dvou bodů této přímky můžeme určit hodnotu činitele i proudu nasyceni Is. Kapacitor modeluje tzv. 40b však zřejmé, tento proud reálné diody konstantní není, ale rostoucím záporným napětím lineárně roste. růstem proudu však naměřená charakteristika exponen- ciály postupně odchyluje.kde 1,59 . propustné oblasti charakteristika znázorněna logaritmickým měřítkem proudu, takže počáteční exponenciální průběh charakteristiky grafu jeví jako přímkový. Tento jev náhradním obvodu diody obr. modelován rezistorem zapojeným sérii idealizovanou exponenciální diodou D. modelován rezistorem . příklad naměřené statické voltampérové charakteristiky diody při určité teplotě. příklad závislosti bariérové kapacity polovodičové diody stejnosměrném předpětí závěrném směru Dynamické vlastnosti reálné plošné polovodičové diody modelují náhradním obvodu obr. 41. především vlivem úbytku napětí odporu hmoty polovodiče. kapacitory Cd, Cz. Na obr. difúzní kapa­ citu diody projevující hromaděním nosičů elektrického náboje oblasti jejího přechodu PN