Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
41a ukazuje, jak toto hromadění nosičů projevuje při oka
mžité změně napětí diody. příklad závislosti bariérové kapacity
polovodičové diody stejnosměrném předpětí závěrném směru
Dynamické vlastnosti reálné plošné polovodičové diody modelují náhradním
obvodu obr. modelován rezistorem . Vliv hromadění náboje oblasti přechodu PN. difúzní kapa
citu diody projevující hromaděním nosičů elektrického náboje oblasti jejího
přechodu PN.kde 1,59 .
Na obr.
Pro velká záporná napětí závěrné oblasti podle difúzní teorie proud
exponenciální diody —Is.10“ náboj elektronu,
k 1,38. Obr. Teprve určité tzv. především vlivem úbytku napětí odporu hmoty
polovodiče. době zotavení diody její proud začne
68
. 10-23 J/K Boltzmannova konstanta,
$ teplota přechodu PN,
M emisní konstanta diody závislá její konstrukci,
Ul teplotní napětí přechodu diody. Proto tento odpor náhradním obvodu diody obr. obr. růstem proudu však naměřená charakteristika exponen-
ciály postupně odchyluje. okamžiku napětí diody zde bylo takové,
že proud diody ustálil určité kladné hodnotě okamžiku skokem
změnil smysl napětí diody. Kapacitor modeluje tzv. 40b však zřejmé, tento proud reálné
diody konstantní není, ale rostoucím záporným napětím lineárně roste.
a) b)
Obr. propustné oblasti charakteristika znázorněna logaritmickým
měřítkem proudu, takže počáteční exponenciální průběh charakteristiky grafu
jeví jako přímkový. 41. Tento
jev náhradním obvodu diody obr. Přesto, dioda potom polarizována nepropustném
směru, vidíme, velikost jejího proudu zůstala zachována rovněž změnil
pouze jeho smysl. kapacitory Cd, Cz. příklad naměřené statické voltampérové charakteristiky diody
při určité teplotě. dvou bodů této přímky můžeme určit hodnotu činitele i
proudu nasyceni Is. modelován
rezistorem zapojeným sérii idealizovanou exponenciální diodou D
