Využití počítače při elektrotechnických návrzích

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Heřman Mann

Strana 67 z 480

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Teprve určité tzv. Proto tento odpor náhradním obvodu diody obr. Na obr. 10-23 J/K Boltzmannova konstanta, $ teplota přechodu PN, M emisní konstanta diody závislá její konstrukci, Ul teplotní napětí přechodu diody. dvou bodů této přímky můžeme určit hodnotu činitele i proudu nasyceni Is. především vlivem úbytku napětí odporu hmoty polovodiče. Pro velká záporná napětí závěrné oblasti podle difúzní teorie proud exponenciální diody —Is. Tento jev náhradním obvodu diody obr. modelován rezistorem zapojeným sérii idealizovanou exponenciální diodou D. růstem proudu však naměřená charakteristika exponen- ciály postupně odchyluje. propustné oblasti charakteristika znázorněna logaritmickým měřítkem proudu, takže počáteční exponenciální průběh charakteristiky grafu jeví jako přímkový. Přesto, dioda potom polarizována nepropustném směru, vidíme, velikost jejího proudu zůstala zachována rovněž změnil pouze jeho smysl. okamžiku napětí diody zde bylo takové, že proud diody ustálil určité kladné hodnotě okamžiku skokem změnil smysl napětí diody. Vliv hromadění náboje oblasti přechodu PN. Obr. difúzní kapa­ citu diody projevující hromaděním nosičů elektrického náboje oblasti jejího přechodu PN. a) b) Obr. 40b však zřejmé, tento proud reálné diody konstantní není, ale rostoucím záporným napětím lineárně roste. době zotavení diody její proud začne 68 . 41. příklad naměřené statické voltampérové charakteristiky diody při určité teplotě. 41a ukazuje, jak toto hromadění nosičů projevuje při oka­ mžité změně napětí diody. příklad závislosti bariérové kapacity polovodičové diody stejnosměrném předpětí závěrném směru Dynamické vlastnosti reálné plošné polovodičové diody modelují náhradním obvodu obr.10“ náboj elektronu, k 1,38. Kapacitor modeluje tzv. modelován rezistorem .kde 1,59 . kapacitory Cd, Cz. obr