Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
40b však zřejmé, tento proud reálné
diody konstantní není, ale rostoucím záporným napětím lineárně roste. modelován
rezistorem zapojeným sérii idealizovanou exponenciální diodou D.kde 1,59 . Teprve určité tzv. především vlivem úbytku napětí odporu hmoty
polovodiče. Obr.
Na obr. 41. Proto tento odpor náhradním obvodu diody obr.10“ náboj elektronu,
k 1,38. příklad naměřené statické voltampérové charakteristiky diody
při určité teplotě. Vliv hromadění náboje oblasti přechodu PN. modelován rezistorem . difúzní kapa
citu diody projevující hromaděním nosičů elektrického náboje oblasti jejího
přechodu PN.
a) b)
Obr.
Pro velká záporná napětí závěrné oblasti podle difúzní teorie proud
exponenciální diody —Is. kapacitory Cd, Cz. Tento
jev náhradním obvodu diody obr. Přesto, dioda potom polarizována nepropustném
směru, vidíme, velikost jejího proudu zůstala zachována rovněž změnil
pouze jeho smysl. příklad závislosti bariérové kapacity
polovodičové diody stejnosměrném předpětí závěrném směru
Dynamické vlastnosti reálné plošné polovodičové diody modelují náhradním
obvodu obr. propustné oblasti charakteristika znázorněna logaritmickým
měřítkem proudu, takže počáteční exponenciální průběh charakteristiky grafu
jeví jako přímkový. Kapacitor modeluje tzv. 10-23 J/K Boltzmannova konstanta,
$ teplota přechodu PN,
M emisní konstanta diody závislá její konstrukci,
Ul teplotní napětí přechodu diody. době zotavení diody její proud začne
68
. obr. okamžiku napětí diody zde bylo takové,
že proud diody ustálil určité kladné hodnotě okamžiku skokem
změnil smysl napětí diody. růstem proudu však naměřená charakteristika exponen-
ciály postupně odchyluje. dvou bodů této přímky můžeme určit hodnotu činitele i
proudu nasyceni Is. 41a ukazuje, jak toto hromadění nosičů projevuje při oka
mžité změně napětí diody
