Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
Tzv.
Měří obvykle můstkovém zapojení buzeném malým střídavým signálem okolí
určitého klidového pracovního bodu Příklad naměřené závislosti kapacity Cb
určité diody jejím klidovém stejnosměrném předpětí UQje obr. fyzi
kální teorie vyplývá, závislost kapacity lze přibližně vyjádřit jako
C, (2. difúzní kapacitní konstanta diody, kterou lze určit naměřené doby
zotavení diody. 42a.
Tyto parametry nejsnadněji získáme několika bodů naměřené závislosti UQ
znázorněné logaritmickém měřítku.postupně klesat hodnotu odpovídající její statické voltampérové charakteristice
v závěrném směru. modeluje vliv tzv.
Při simulaci soustav pracujících velkým rozkmitem signálů často vystačíme
s hrubou, úsecích lineární aproximací statické voltampérové charakteristiky
diody podle obr. 42. Jeho parametry
Obr. bariérová kapacitní konstanta diody,
<P stykové napětí,
n konstantní exponent přechodu diody. Příslušný náhradní obvod obr. Příklad úsecích lineární aproximace statické voltampérové charakteristiky diody,
b) příslušný model, diagram pro určování jeho stavu
69
. zbytkové kapacity diody tvořené
kapacitami jejích přívodů pouzdra.47)
( Qy
kde C0je tzv. bariérová kapacita diody projevuje při její činnosti závěrné oblasti. 41b.
Kapacitor obr. 42b.
Difúzní kapacita nelineární základě difúzní teorie lze přibližně
vyjádřit vztahem
c dIsě0u (2.46)
kde tzv
