Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
bariérová kapacita diody projevuje při její činnosti závěrné oblasti.47)
( Qy
kde C0je tzv. modeluje vliv tzv.
Měří obvykle můstkovém zapojení buzeném malým střídavým signálem okolí
určitého klidového pracovního bodu Příklad naměřené závislosti kapacity Cb
určité diody jejím klidovém stejnosměrném předpětí UQje obr.
Při simulaci soustav pracujících velkým rozkmitem signálů často vystačíme
s hrubou, úsecích lineární aproximací statické voltampérové charakteristiky
diody podle obr. zbytkové kapacity diody tvořené
kapacitami jejích přívodů pouzdra.
Difúzní kapacita nelineární základě difúzní teorie lze přibližně
vyjádřit vztahem
c dIsě0u (2. 42.
Tzv. fyzi
kální teorie vyplývá, závislost kapacity lze přibližně vyjádřit jako
C, (2. Příklad úsecích lineární aproximace statické voltampérové charakteristiky diody,
b) příslušný model, diagram pro určování jeho stavu
69
. 41b.46)
kde tzv. 42a.postupně klesat hodnotu odpovídající její statické voltampérové charakteristice
v závěrném směru. bariérová kapacitní konstanta diody,
<P stykové napětí,
n konstantní exponent přechodu diody. 42b.
Kapacitor obr. difúzní kapacitní konstanta diody, kterou lze určit naměřené doby
zotavení diody. Jeho parametry
Obr.
Tyto parametry nejsnadněji získáme několika bodů naměřené závislosti UQ
znázorněné logaritmickém měřítku. Příslušný náhradní obvod obr
