Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
proud nasycení diody. příklad náhradního obvodu, představujícího nelineární dyna
mický model plošné polovodičové diody. Charakteristiku
diody lze rozdělit tři základní oblasti: propustnou oblast pro závěrnou
oblast pro-wz Zenerovu oblast pro uz, kde tzv.polovodičové usměrňovače používané silnoproudých zařízeních. Uvedený model lze odvodit základě
difúzní teorie chování nosičů náboje polovodičích. Nelineární
dynamický
model
polovodičové
diody
Na obr. difúzní teorie vy
plývá, voltampérová charakteristika diody přibližně dána vztahem
i h(e0u 1)
kde Jsje tzv.
Obr. činitel, pro který platí
q 1
0 =
M U,
[1/V]
(2. Zenerovo napětí. 39. Příklad naměřené statické voltampérové charakteristiky diody propustném
a nepropustném směru
67
.45)
a) b)
Obr. 40. Idealizovaná dioda sta
tickým modelem přechodu reálné diody okolí počátku.44)
(2
