Kniha je úvodem do metod praktického modelování, analýzy, návrhu a optimalizace elektrotechnických zařízeni na číslicovém počítači. Výklad je doprovázen jednoduchými názornými příklady řešených úloh z různých odvětví elektrotechniky.Kniha je určena inženýrům a technikům, kteří se zabývají moderním návrhem elektrotechnických zařízení.
znázorněna schematická značka reálné polovodičové diody, její fyzi
kální struktura podobě přechodu průběh voltampérové charakteristiky,
typický jak pro miniaturní diody určené slaboproudým účelům, tak pro mohutné
'A
a)
1
P
N
TK
b)
Obr.
Vztah (2. kaskádním popisem
~ =
- -
cosh y(p) l
1
LZ 0(p)
Z 0(p) sinh y(p)l
sinh y(p) cosh y(p) l
~u i(PÍ
hip) (2.jistých podmínek lze telegrafní rovnice (2.43)
kde
z o(p)
R pL
G pC
je charakteristická impedance vedení a
y(p) pL){G pC)
je příslušný činitel šíření. Modely polovodičových diod
Na obr. Zajímají-li nás průběhy proudů
a napětí pouze počátečních koncových svorkách vedení délce vedení můžeme
považovat dvojbran charakterizovaný např. 38.2.41) předpokladu, vedení přibližně nahradíme řetězcem n
shodných kaskádně spojených dvojbranů znázorněných obr. Schematická značka, fyzikální struktura, typický průběh
statické voltampérové charakteristiky plošné polovodičové diody
66
.42) převést prostřednictvím
Laplaceovy transformace rovnice algebraické.
2. výrazem
~u ÁpT pL) n
~u2(P)
J áp) _(G pC) pC) pL) Al2_ lip )
vycházejícím (2.43) můžeme aproximovat např. 37b, přičemž
AI l\n.6
