Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.
Naopak, samotný tranzistor SFET nahrádza
(do 200 súčasne rýchlu antiparalelnú diódu, zjednodušuje
a uľahčuje konštruovanie výkonových polovodičových meničov,
71
.
Pôsobením záporného povrchového náboja odpudzujú majoritné
nosiče (elektróny) pritiahnu substrátu minoritné nosiče (diery),
ktoré vytvoria inverznú vrstvu tesne pod izolačnou podložkou.3 Výhody tranzistorov MOSFET
Medzi výhody tranzistorov SFET patrí:
— tepelná stabilita štruktúry.2. Medzi nepreteká prúd, pretože medzi nimi
nie vodivý kanál. chceme, aby tranzistor stal vodivým, musíme
na hradlo priviesť napätie UGS Záporné napätie UGS vytvorí na
priľahlej hornej vrstve dielektrika Si02kladný náboj jeho spodnej
vrstve, dotýkajúcej podložky zase záporný povrchový náboj.
Difúziou vytvorená tenká vrstva kanála len nepatrný prierez,
veľký odpor môže prenášať len malý výkon. Časy ton /off
sú dva rády menšie ako pri bipolárnych tranzistoroch,
— dôsledku väčšej spínacej rýchlosti môžu tranzistory OSFET
pracovať pri vyšších frekvenciách ako bipolárne tranzistory,
— pri tranzistoroch SFET nehrozí nebezpečenstvo poškodenia
inverzným prúdom. Nepotrebuje zložité obvody formovanie
hradlového prúdu,
— vypínanie výkonových tranzistorov SFET uskutočňuje
rýchlejšie ako pri bipolárnych výkonových tranzistoroch.
3.tím, pretože galvanicky spojené kolektorový priechod NP,
polarizovaný záverne. Vidno, zvyšovaním UGS postupne rozširuje
vodivý kanál tranzistora. zväčšenie výkonu
tranzistorov SFET bolo treba použiť nové technológie, ktoré ozna
čujeme ako alebo MOS. tej
to tenkej vrstvičke majoritné diery, preto vznikne indukovaný
vodivý kanál medzi Hrúbka kanála, teda jeho vodivosť závisí
od UGS (ale t/DS). Pri rastúcej lokálnej teplote štruktúry
sa zmenšuje prúd emitorovej bunky nehrozí nebezpečenstvo druhého
prierazu,
— tranzistor SFET napätím riadená súčiastka veľkou
vstupnou impedanciou
