Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.
3. Anódový vývod pripojený vonkajšiu
oblasť katódový vývod vonkajšiu oblasť vnútornú oblasť
P pripojený vývod hradia Medzi zapojené série tri
72
.3 TYRISTORY
Tyristor bistabilná polovodičová súčiastka, ktorá tri priechody
PN môže prepínať blokovacieho priepustného stavu naopak.21 tyristor schematicky znázornený reze.2. Tvoria ho
štyri oblasti rozličným typom vodivosti medzi ktorými sú
tri priechody (/,, J2, J3). Uvedený typ
tyristora rozšírený pod všeobecným názvom tyristor. Vodivý kanál nie nikdy totožný
s celým prierezom platničky tranzistora,
— ako všetky poľom riadené tranzistory, výkonové tranzistory
M SFET veľmi citlivé prepätie obvode hradia.pretože tranzistory SFET nemajú tepelnú nestabilitu, možno
ich spájať paralelne jednoduchšie ako bipolárne tranzistory.4 Nevýhody tranzistorov MOSFET
Medzi nevýhody tranzistorov SFET patrí:
— saturačné napätie, ktoré dané súčinom rDSon/ D,je vyššie ako pri
bipolárnych tranzistoroch,
— výkonové tranzistory SFET majú horšie využitie aktívnej
plochy ako bipolárne tranzistory.
V praxi najviac používajú spätne závěrné tyristory. Pri veľmi
vysokých spínacích frekvenciách doporučuje vylúčiť prípadné oscilá
cie hradlách tlmiacimi rezistormi.
3. Pri aplikácii
treba prísne dodržiavať bezpečnostné predpisy pre prácu tranzistormi
riadenými poľom,
— takmer dokonalou izoláciou hradia záťaže vzniká vstupe
tranzistora SFET pomerne veľká kapacita, ktorá veľmi dôležitá
pri spínacích dejoch,
— výhoda inverznej diódy neuskutočňuje pri napätiach nad
500 pretože vnútorné antiparalelné diódy majú vtedy veľmi veľký
čas zotavenia tTT.
Na obr. 3
