Výkonová elektrotechnika v praxi

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.

Vydal: Alfa, vydavateľstvo technickej a ekonomickej litera­túry, n. p., 815 89 Bratislava, Hurbanovo nám. 3 Autor: Ivan Slávik, Peter Lachký, Alexander Végh

Strana 70 z 343

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
3 TYRISTORY Tyristor bistabilná polovodičová súčiastka, ktorá tri priechody PN môže prepínať blokovacieho priepustného stavu naopak.21 tyristor schematicky znázornený reze. 3. Vodivý kanál nie nikdy totožný s celým prierezom platničky tranzistora, — ako všetky poľom riadené tranzistory, výkonové tranzistory M SFET veľmi citlivé prepätie obvode hradia. Pri aplikácii treba prísne dodržiavať bezpečnostné predpisy pre prácu tranzistormi riadenými poľom, — takmer dokonalou izoláciou hradia záťaže vzniká vstupe tranzistora SFET pomerne veľká kapacita, ktorá veľmi dôležitá pri spínacích dejoch, — výhoda inverznej diódy neuskutočňuje pri napätiach nad 500 pretože vnútorné antiparalelné diódy majú vtedy veľmi veľký čas zotavenia tTT.4 Nevýhody tranzistorov MOSFET Medzi nevýhody tranzistorov SFET patrí: — saturačné napätie, ktoré dané súčinom rDSon/ D,je vyššie ako pri bipolárnych tranzistoroch, — výkonové tranzistory SFET majú horšie využitie aktívnej plochy ako bipolárne tranzistory. Anódový vývod pripojený vonkajšiu oblasť katódový vývod vonkajšiu oblasť vnútornú oblasť P pripojený vývod hradia Medzi zapojené série tri 72 . Na obr.2. Tvoria ho štyri oblasti rozličným typom vodivosti medzi ktorými sú tri priechody (/,, J2, J3). V praxi najviac používajú spätne závěrné tyristory.pretože tranzistory SFET nemajú tepelnú nestabilitu, možno ich spájať paralelne jednoduchšie ako bipolárne tranzistory. 3. Pri veľmi vysokých spínacích frekvenciách doporučuje vylúčiť prípadné oscilá­ cie hradlách tlmiacimi rezistormi. 3. Uvedený typ tyristora rozšírený pod všeobecným názvom tyristor