Kniha sa zaoberá praktickým využitím výkonovej elektroniky v praxi, rozoberajú sa usmerňovače, striedavé meniče, jednosmerné meniče a striedače. Pozornosť sa venuje aj konštrukcii a chladeniu meničov, uvedené sú mnohé konkrétne príklady riešenia meničov, ich údržba a opravy s uvedením diagnostických metód, meracích metód a vhodných meracích prístrojov.Určená je technikom a inžinierom pracujúcim v oblasti praktického využitia výkonovej elektroniky, študentom a všetkým, ktorí sa zaujímajú o praktické využitie výkonovej elektroniky.
3. Vývod substrátu spája emitorom alebo mimo puzdra,
alebo spojenie urobené vnútri puzdra tranzistora.
s o
(p j
N
[p j
Obr.2. Vzťahy medzi napätím UDS, UGS, IDpre tranzis
tor JFET kanálom obr. 3.
Pre spínacie účely praxi výkonovej elektronike najlepšie
uplatnili unipolárne tranzistory izolovaným hradlom, ktoré opísané
v nasledujúcej stati. vonkajšej strane
dielektrika medzi elektródami umiestnená kovová elektróda
hradia ktorá preto takmer dokonale izolovaná systému tranzis
tora. obr.20 je
znázornený princíp tranzistorov SFET kanálom podložku
typu vyvedenou elektródou nadifundované ostrovčeky typu
P, ktoré pripojené kovové elektródy Celý povrch tranzisto
ra potom pokrytý izolačnou vrstvou Si02.
3.19.
Vidno, výstupné charakteristiky tranzistora JFET podobajú
charakteristikám (wCF) bipolárneho tranzistora tým, paramet
rom kriviek nie ale Ucs.vaný napätím —UDS priechod +je závěrně polarizovaný napätím
+ UQS.20.2 Výkonové tranzistory MOSFET
Medzi výkonovými tranzistormi získali ostatných rokoch veľkú
popularitu tranzistory vyrobené technológiou MOS. Výkonový tranzistor SFET kanálom P
Predpokladajme, hradlové napätie UGS medzi pripojíme
napätie UDS kladným pólom Medzi zapojené
2 priechody, emitorový priechod polarizovaný nulovým napä
70
. odpojíme hradlo (Ucs 0), môže pretekať maximálny die
rový prúd Plynulým zvyšovaním napätia UGSsa zväčšuje oblasť
priestorového náboja priechodu vodivý kanál oblasti sa
zužuje, klesá prúd. 3
