|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Práce pojednává o speciálních vlnitých reflektorech pro širokopásmové antény. Vlnité reflektory jsou rozděleny na typ H a typ E. Z těchto typů je následně vytvořena jejich kombinace. Všechny tři typy reflektorů byly simulovány a následně analyzovány. Dále se práce zabývá různými druhy širokopásmových dipólů, které jsou postupně umísťovány nad zkoumané reflektory. Takto vytvořené reflektorové antény jsou pak porovnávány. U antén s nejlepšími parametry pak simulujeme přenos mezi dvěma anténami. Všechny simulace byly provedeny v programu CST Microwave Studio. Vybrané antény byly realizovány a změny. Následnými simulacemi jsme zjišovali příčiny rozdílů mezi simulovanými a meřenými výsledky.
5-1: Ukázka napájení kruhového dipólu.1)
kde relativní permitivita, tloušĢka substrátu, šíĜka mikropásku, je
tloušĢka pokovení substrátu charakteristická impedance.
Dále dochází zúžení pásku hodnotu 3,186mm, což opČt odpovídá
charakteristické impedanci 50.
5. dosazení tČchto
konstant rovnice 5.79mm. hlediska mechanické
pevnosti antény byl pro realizaci antény použit substrát ARLON 25N tloušĢce
1. RozšíĜená
þást mikropásku tvoĜí impedanþní transformátor.1 pro charakteristickou
impedanci [4]
ܼ ൌ
଼
ඥఌೝାଵǡସଵ
ή ቀ
ହǡଽ଼ή
ǡ଼כ௪ା௧
ቁ (5. ŠíĜka napájecího mikropásku spodní vrstvČ byla urþena podle
šíĜky SMA konektoru tak, aby dal snadno dobĜe pĜipájet, jeho šíĜka 6,8mm.1 získáme šíĜku mikropásku horní vrstvČ 3,186mm.
Horní
vrstva
Spodní
vrstva
.
ŠíĜka pájecího mikropásku byla urþena podle vzorce 5.42
5 REALIZACE
PĜed samotnou realizací antény potĜeba ještČ provést návrh symetrizaþního þlenu a
impedanþního pĜizpĤsobení. TloušĢka substrátu zásadní vliv na
impedanþní pĜizpĤsobení antény, které bude Ĝešeno následující kapitole. Pro
napájení vybrané antény byl zvolen zpĤsob uvedený obrázku 5-1. Existuje celá Ĝada možností jak lze širokopásmovou
dipólovou anténu napájet impedanþnČ pĜizpĤsobit.
Obr.
Impedance, které chceme dosáhnout, parametry použitého
substrátu ARLON 25N jsou: 3,38, 1,52 0,035 mm.52 namísto pĤvodnČ uvažovaných 0.1 Návrh symetrizace impedanþního pĜizpĤsobení
Na rozdíl pĜedchozích simulací, kde byly obČ ramena dipólu jedné stranČ
substrátu, zde nutné umístit každé rameno dipólu jednu stranu substrátu. Pro realizaci antén jsou potĜeba ještČ další rozmČry, viz
pĜíloha A. Pro kruhový dipól vybraný
v pĜedchozí kapitole bude použit následující zpĤsob napájení. Jeho šíĜka urþí stejnČ jako
v pĜedchozím pĜípadČ, jen místo 50 dosazena impedance dipólové antény, kterou
získáme simulací. ZmČna výšky substrátu na
parametrech antény nijak neprojevila
