|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Práce pojednává o speciálních vlnitých reflektorech pro širokopásmové antény. Vlnité reflektory jsou rozděleny na typ H a typ E. Z těchto typů je následně vytvořena jejich kombinace. Všechny tři typy reflektorů byly simulovány a následně analyzovány. Dále se práce zabývá různými druhy širokopásmových dipólů, které jsou postupně umísťovány nad zkoumané reflektory. Takto vytvořené reflektorové antény jsou pak porovnávány. U antén s nejlepšími parametry pak simulujeme přenos mezi dvěma anténami. Všechny simulace byly provedeny v programu CST Microwave Studio. Vybrané antény byly realizovány a změny. Následnými simulacemi jsme zjišovali příčiny rozdílů mezi simulovanými a meřenými výsledky.
1 získáme šíĜku mikropásku horní vrstvČ 3,186mm.52 namísto pĤvodnČ uvažovaných 0. hlediska mechanické
pevnosti antény byl pro realizaci antény použit substrát ARLON 25N tloušĢce
1.
5. ZmČna výšky substrátu na
parametrech antény nijak neprojevila. ŠíĜka napájecího mikropásku spodní vrstvČ byla urþena podle
šíĜky SMA konektoru tak, aby dal snadno dobĜe pĜipájet, jeho šíĜka 6,8mm. dosazení tČchto
konstant rovnice 5.
ŠíĜka pájecího mikropásku byla urþena podle vzorce 5. Pro
napájení vybrané antény byl zvolen zpĤsob uvedený obrázku 5-1.
Impedance, které chceme dosáhnout, parametry použitého
substrátu ARLON 25N jsou: 3,38, 1,52 0,035 mm.1 pro charakteristickou
impedanci [4]
ܼ ൌ
଼
ඥఌೝାଵǡସଵ
ή ቀ
ହǡଽ଼ή
ǡ଼כ௪ା௧
ቁ (5.
Obr.79mm.42
5 REALIZACE
PĜed samotnou realizací antény potĜeba ještČ provést návrh symetrizaþního þlenu a
impedanþního pĜizpĤsobení.
Horní
vrstva
Spodní
vrstva
. Pro realizaci antén jsou potĜeba ještČ další rozmČry, viz
pĜíloha A. TloušĢka substrátu zásadní vliv na
impedanþní pĜizpĤsobení antény, které bude Ĝešeno následující kapitole.1)
kde relativní permitivita, tloušĢka substrátu, šíĜka mikropásku, je
tloušĢka pokovení substrátu charakteristická impedance. Existuje celá Ĝada možností jak lze širokopásmovou
dipólovou anténu napájet impedanþnČ pĜizpĤsobit.
Dále dochází zúžení pásku hodnotu 3,186mm, což opČt odpovídá
charakteristické impedanci 50. 5-1: Ukázka napájení kruhového dipólu.1 Návrh symetrizace impedanþního pĜizpĤsobení
Na rozdíl pĜedchozích simulací, kde byly obČ ramena dipólu jedné stranČ
substrátu, zde nutné umístit každé rameno dipólu jednu stranu substrátu. Jeho šíĜka urþí stejnČ jako
v pĜedchozím pĜípadČ, jen místo 50 dosazena impedance dipólové antény, kterou
získáme simulací. RozšíĜená
þást mikropásku tvoĜí impedanþní transformátor. Pro kruhový dipól vybraný
v pĜedchozí kapitole bude použit následující zpĤsob napájení
