|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Diplomová práce se zabývá širokopásmovou sinusovou anténou, pracující na frekvenci 1 až 6 GHz. Jsou zde uvedeny parametry této antény, které mení její fyzické rozmery. Struktura antény je planární a proto prizpusobení je také navrženo v podobě mikropáskového vedení, kdy je potreba přechodu z nesymetrického vedení k symetrickému pomocí tzv. balunu. Dále k temto balunum je navržen impedancní transformátor pro impedanční přizpůsobení antény. Jsou zde také popsány jednotlivé typy transformátoru.
2 [3].2)
εr h
wg
wm
t
t
.
+
−
−
++
=
85,0
2
. nehomogenního vedení tedy udělá vedení
homogenní pomocí transformace, nazývající konformní. takovémto prostředí nemůže
existovat samotná vlna TEM, ale ani její dílčí vidy TM, obecně taková vlna
nazývá hybridní vlna HEM.2.
.
Dále pak šířkou horního pásku (jako microstrip) šířkou dolního (zemního)
pásku wg, jak ilustruje obrázku 2. Řešení takovéto vlny ovšem značně komplikované,
avšak velice přesné, tak přešlo určitému kompromisu, kdy úkor přesnosti se
zjednodušil výpočet pomocí aproximace.
Pokud wm/h>1, vedení široké jeho impedance dána vztahem 2.
2
1
60
0
r
rm
mr
h
w
w
h
Z
ε
ε
πε
, (2.1)
Pokud wm/h<1, vedení úzké jeho impedance dána vztahem 2.10
2. Schneider, nebo Hammerstad [9],[10].
Protože svém příčném průřezu obsahuje dvě různé permitivity, vzduchu a
prostředí >1, toto vedení příčně nehomogenní. Nesymetrické mikropáskové vedení. teoretického předpokladu zemnící vrstva
nekonečně široká, ale praxi stačí, aby platilo, šířka pásku spodní vrstvy je
minimálně trojnásobkem šířky horního pásku, tudíž wm=1/3.
2
1
.
Mikropáskové vedení může rozdělit podle poměru šířky horního pásku výšky
substrátu /h. vedení pohlížíme jako vedení vlnou
TEM, přičemž přibližnost modelu vyjadřujeme tím, říkáme, mikropáskovém
vedení šíří vlna kvazi-TEM [3].28,6ln. Touto problematikou se
zabýval také např.1 Nesymetrické mikropáskové vedení
Jedná vedení podobě mikropásku literatuře také microstrip line který se
skládá substrátu výškou relativní permitivitou εr, tloušťkou vodivého pásku t.wg
Obrázek 2.1 [3].
9,0
4
8
ln.08,17ln.7,3
1
85,0
2
.2.
+
−
−
+
+
=
1
1
.
120
0
h
w
h
w
h
w
Z
m
r
rmmr
ε
ε
π
ε
π
, (2.2