Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 69 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Jednorázový režim zajistí detekci nadproudu trvalé vypnutí
tranzistoru. Vypínání výkonového tranzistoru provádí nulou nap (vybitím
kapacity ídicího hradla tranzistoru). režimu regenerativním dochází každým novým ídicím povelem vždy k
novému pokusu zapnutí tranzistoru. Pokud nadproud stále trvá, ochrana tranzistor vždy
p asn vypne (ve výsledku dochází zužování ídicích impuls tj.2.2a) klasická varianta budi impulsním transformátorkem enášejícím
výkonový spínací signál. zmenšování
st ídy oproti signálu PWM modulátoru). nutno raznit, toto ozna ení se
naprosto netýká ípad kdy jakékoliv inteligentní ochrany jsou len ídicích
obvod izola bariéru.
7.1. Budi spl uje požadavek galvanického odd lení,
neobsahuje však žádné ochrany zmi ované kap.ídicí leny elektrických pohonech 69
principem neuskute nitelné. Zapojení lze požít pro které typy IGBT, které je
také dovoleno vypínat nulou (nebývá obvyklé, tšinou doporu uje vypínat IGBT
záporným nap tím ídicího hradla). Tyristor lze proto rozdíl od
tranzistoru snadno chránit velmi pomalou ochranou). Satura ochrana být
provozována režimu jednorázovém (propojka bistabilní klopný obvod) nebo
regenerativním (J2).1 Zapojení pro buzení tranzistor MOS-FET
Na Obr.
Systémový esun ochran izola bariéru, nejblíže ídicí elektrod výkonového
tranzistoru, nazývá technologií SMART POWER.2 Sou asný enos informace budicí energie magnetickou cestou
Jedná jednoduché ešení galvanického odd lení pomocí impulsního transformátorku. Toto zapojení proto vhodné pro tranzistory MOS-FET,
které takto standardn vypínat. Pokud nadproud zmizí, budi samovoln
vrátí normálního režimu. 7. sou asn jediný sob, jak realizovat (tém absolutní
zkratuvzdornost ohledem tvar VA-charakteristiky totiž tranzistor asi ády
menší integrál dti2
než proudov srovnatelný tyristor.
7. 7.
ešení použitelné aplikacích, kdy ída enášeného ídicího signálu pohybuje
v rozmezí hodnoty podstatn menší než (nap stkových DC/DC ni
s transformátorem maximální ída teoreticky, prakticky ješt mén ).
. sekundární stran budi totiž není
k dispozici zdroj galvanicky odd leného napájecího nap tak zde nelze realizovat žádný
aktivní obvod
