Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 69 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
2a) klasická varianta budi impulsním transformátorkem enášejícím
výkonový spínací signál.
Systémový esun ochran izola bariéru, nejblíže ídicí elektrod výkonového
tranzistoru, nazývá technologií SMART POWER.ídicí leny elektrických pohonech 69
principem neuskute nitelné. nutno raznit, toto ozna ení se
naprosto netýká ípad kdy jakékoliv inteligentní ochrany jsou len ídicích
obvod izola bariéru. Jednorázový režim zajistí detekci nadproudu trvalé vypnutí
tranzistoru. Pokud nadproud zmizí, budi samovoln
vrátí normálního režimu.
.1. Zapojení lze požít pro které typy IGBT, které je
také dovoleno vypínat nulou (nebývá obvyklé, tšinou doporu uje vypínat IGBT
záporným nap tím ídicího hradla). Pokud nadproud stále trvá, ochrana tranzistor vždy
p asn vypne (ve výsledku dochází zužování ídicích impuls tj.2. Budi spl uje požadavek galvanického odd lení,
neobsahuje však žádné ochrany zmi ované kap. Satura ochrana být
provozována režimu jednorázovém (propojka bistabilní klopný obvod) nebo
regenerativním (J2).2 Sou asný enos informace budicí energie magnetickou cestou
Jedná jednoduché ešení galvanického odd lení pomocí impulsního transformátorku. 7. Toto zapojení proto vhodné pro tranzistory MOS-FET,
které takto standardn vypínat.
7. Tyristor lze proto rozdíl od
tranzistoru snadno chránit velmi pomalou ochranou). 7. Vypínání výkonového tranzistoru provádí nulou nap (vybitím
kapacity ídicího hradla tranzistoru). sekundární stran budi totiž není
k dispozici zdroj galvanicky odd leného napájecího nap tak zde nelze realizovat žádný
aktivní obvod.
7. sou asn jediný sob, jak realizovat (tém absolutní
zkratuvzdornost ohledem tvar VA-charakteristiky totiž tranzistor asi ády
menší integrál dti2
než proudov srovnatelný tyristor.
ešení použitelné aplikacích, kdy ída enášeného ídicího signálu pohybuje
v rozmezí hodnoty podstatn menší než (nap stkových DC/DC ni
s transformátorem maximální ída teoreticky, prakticky ješt mén ).1 Zapojení pro buzení tranzistor MOS-FET
Na Obr. zmenšování
st ídy oproti signálu PWM modulátoru). režimu regenerativním dochází každým novým ídicím povelem vždy k
novému pokusu zapnutí tranzistoru
