Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 44 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
■ Možnosť práce pri frekvenciáh až 500 kHz. ■ Paralelné zapojenie možné prakticky bez obmedzenia. ■ Možnosť poškodenia vstupu (hradla) elektrostatickým nábojom. ■ Nehrozí nebezpečenstvo druhého prierazu ani inverzného prúdu. MOSFET Výhody: ■ Vysoká vstupná impedancia (rádu GQ).Polovodičové obvodové súčiastky. ■ Veľmi krátke spínacie časy (ton aj toff pod 1^s). Porovnanie vlastnosti tranzistorov. . ■ Pri tranzistoroch vyššieho napätia zvýšený odpor v zapnutom stave. ■ Neexistuje doba presahu pri vypínaní. Nevýhody: ■ Vyššia cena objem štruktúry v porovnaní BJT IGBT