Porovnanie vlastnosti tranzistorov.
■ Veľmi krátke spínacie časy (ton
aj toff pod 1^s).
■ Nehrozí nebezpečenstvo druhého
prierazu ani inverzného prúdu.
Nevýhody:
■ Vyššia cena objem štruktúry v
porovnaní BJT IGBT.
■ Neexistuje doba presahu pri
vypínaní.
■ Paralelné zapojenie možné
prakticky bez obmedzenia.
■ Možnosť práce pri frekvenciáh
až 500 kHz.
.
MOSFET
Výhody:
■ Vysoká vstupná impedancia
(rádu GQ).
■ Pri tranzistoroch vyššieho
napätia zvýšený odpor v
zapnutom stave.
■ Možnosť poškodenia vstupu
(hradla) elektrostatickým
nábojom.Polovodičové obvodové súčiastky
