Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Strana 44 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

■ Neexistuje doba presahu pri vypínaní. . Porovnanie vlastnosti tranzistorov. ■ Nehrozí nebezpečenstvo druhého prierazu ani inverzného prúdu. ■ Možnosť práce pri frekvenciáh až 500 kHz. Nevýhody: ■ Vyššia cena objem štruktúry v porovnaní BJT IGBT. ■ Paralelné zapojenie možné prakticky bez obmedzenia. MOSFET Výhody: ■ Vysoká vstupná impedancia (rádu GQ). ■ Možnosť poškodenia vstupu (hradla) elektrostatickým nábojom.Polovodičové obvodové súčiastky. ■ Veľmi krátke spínacie časy (ton aj toff pod 1^s). ■ Pri tranzistoroch vyššieho napätia zvýšený odpor v zapnutom stave

---

---