Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 45 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Polovodičové obvodové súčiastky. Obmedzenie pracovných frekvencií nad kHz spôsobuje čas doznievania ttail(„prúdový chvost“) • umožňuje vytvárať integrované výkonové moduly . Porovnanie vlastnosti tranzistorov. Vlastnosti BT: • riaditeľný podstate napäťovými impulzmi, výstupná strana je značne prúdovo napäťovo zaťažiteľná • pracuje podstate ako „kaskádne“ zapojenie vstupného FET ktorým riadený výstupný PNP tranzistor • umožňuje dosiahnuť pomerne vysoké spínacie frekvencie vzhľadom krátke zapínacie vypínacie časy