Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 43 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
■ Oneskorené vyprázdňovanie bázy pri vypínaní tým existencia času presahu ts. ■ Obmedzená pracovná frekvencia. Porovnanie vlastnosti tranzistorov. ■ Nebezpečenstvo poškodenia inverzným prúdom. ■ Potrebný trvalý pomerne veľký bázový prúd hlavne veľký bázový prúd pri zapínaní. ■ Ťažkosti pri paralelnom radení. .Polovodičové obvodové súčiastky. Typické nevýhody bipolárnych tranzistorov: ■ Tepelná nestabilita. ■ Nebezpečenstvo druhého prierazu