|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 42 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
25 I6Ůf7 “Č
D skih :
T Jc+A 163:75 +6,25 17fŕC
.25 If3,75V
*T
O?cp ¡¿'tlie :
M n'pststm teploU :
Tcmm Tjc= 5.Dimenzovanie mostíkového striedača
DC-DC meniča.
Tepelné výpočty
Prejednostranné chladiče platí:
Zo vzi^hu 5.16 urŕínie tepelný odpor chladiaceho nariadenia {chladiča; R,&:
T- I71! -
Khr (**jc (C;45 0;5) 4,ó5':ťľ/W
O teplenie piizdru:
Rthjc= j-R 175-0,45
