|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 41 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
2.Id“6
t>4.1 Vypočti rát tranzistora
Celkové šíraly tranzistore skladajú týchto zloziek:
=ň)+H'+ft +ífe
kde
P0 siraly vypnutom slave.25.25.396.10“*)^
4UÜ
Prespínacie časy t,-,n at0j_f plaLf:
ííjn_i!j] =
11m «j] ďOjií
V/H jí(í//)H
i i!í] 341 —55 396nj
.Dimenzovanie mostíkového striedača
DC-DC meniča.
/V straty hradle
f spínacie straly
Pa slraly priepustnom Slawe
Priepustné (saturačné) straty:
p i,v} ct:[on}' 12,5 25W
Spínacie strmý:
P¡¡ PcE-lcmax■fon+ Ucč-k'imu toff)■
1
Ps =
Ps =
2,20.10 300.(300.
5.60.125W
