Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 40 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
34 ÍC=22A, í/Ľt=3gOV ¡r nárastu 11 ns LrĽť= +J5V, íäfj=J.37 2. Ji-dnoikni U Napätie kolefctor-emiíor 600 V ic e>Ttí= iia Kolektorový prúd A Ti Op^racnä teplota prechodu.3ft '¿i»Si) Čas presahu J30 150 l^200xjH .>;=I5V 7’J=125rjC Q Náboj hradia J-60 240 ;C=22A, UGB= 15V. Min Max.80 lt=72A Uc. T>p- Mta ľijdmlonkv °a!<—> SaLuratnč napätie 2. oneskoirnia . Tjbulka 5-1 Vybrané parametre tranzistora ]RGF35lifiOFI3 h Max. í/'tx=400V !J\nn: ťľas.Dimenzovanie mostíkového striedača DC-DC meniča.41 rCAV Tepelní odpor ptodro-okolie °c/w Min. -55 4-150 rC r>p. R#jc Tepelní odpor prectiotl-pú/dro 0.rJ= ]25:,C Ča!i poklesu l(S