|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 40 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
3ft
'¿i»Si) Čas presahu J30 150 l^200xjH . -55 4-150 rC
r>p.
R#jc Tepelní odpor prectiotl-pú/dro 0. oneskoirnia .80 lt=72A Uc.>;=I5V 7’J=125rjC
Q Náboj hradia J-60 240 ;C=22A, UGB= 15V.37 2.34 ÍC=22A, í/Ľt=3gOV
¡r nárastu 11
ns
LrĽť= +J5V, íäfj=J. í/'tx=400V
!J\nn: ťľas. T>p- Mta ľijdmlonkv
°a!<—> SaLuratnč napätie 2.41 rCAV
Tepelní odpor ptodro-okolie °c/w
Min.
Tjbulka 5-1 Vybrané parametre tranzistora ]RGF35lifiOFI3
h Max. Min Max.rJ= ]25:,C
Ča!i poklesu l(S
.Dimenzovanie mostíkového striedača
DC-DC meniča. Ji-dnoikni
U Napätie kolefctor-emiíor 600 V
ic e>Ttí= iia Kolektorový prúd A
Ti Op^racnä teplota prechodu
