Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 36 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.-!■! ravitDmAmAha orihn ■■ukuti pircluHlu ľN" prk í ív ÍLEprtti Uct \ yfjTdFi IjL ŕiľiu i Í . IruiiicEoru 'MTň- YQdiVÿm ahvyjvA4*tběaL4oMh ! •J... MO - Metal-Oxide ....'iji Hl. £ N C a H* .I !. Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s izolovaným hradlom (MOSFET alebo MISFET). 'îil. .u i ľ tpr&TO. í VVPHÍIČ QBLASľ IÜL E ^ t Ľ lL— C N* >9B i ti Jľ IL+ T& ■/¿P" ( läfl-.1rtn& uldfcaEi h (ici U*Î P*Uct> Vp M Metal, I Insulation, S- Semiconductor.Polovodičové obvodové súčiastky. iftn !