Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Strana 36 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

.1rtn& uldfcaEi h (ici U*Î P*Uct> Vp M Metal, I Insulation, S- Semiconductor.-!■! ravitDmAmAha orihn ■■ukuti pircluHlu ľN" prk í ív ÍLEprtti Uct \ yfjTdFi IjL ŕiľiu i Í . £ N C a H* ... . iftn !. MO - Metal-Oxide .. IruiiicEoru 'MTň- YQdiVÿm ahvyjvA4*tběaL4oMh ! •J.. Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s izolovaným hradlom (MOSFET alebo MISFET).u i ľ tpr&TO.I !.Polovodičové obvodové súčiastky. 'îil.'iji Hl.. í VVPHÍIČ QBLASľ IÜL E ^ t Ľ lL— C N* >9B i ti Jľ IL+ T& ■/¿P" ( läfl-

---

---