Tranzistor ovládaný elektrickým poľom
s indukovaným kanálom.
Konštrukčné usporiadanie činnosť tranzistora sa
veľmi podobá tranzistoru MIS vodivým kanálom.
Kanál vznikne vytlačením dier priestoru medzi
emitorom kolektorom.
Tvorba kanála prechod prúdu zabezpečený
len pri kladnom predpätí hradla.Polovodičové obvodové súčiastky.
Princíp činnosti MOSFET tranzistora
s indukovaným hradlom