Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 35 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

. Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom (JFET). 1 1 g p* N G Schematická značka JFET g rF" V? ■- V# -L Uk ¿3___ -±\r -1 Zmena šírkyvodivej časti kanálu pôsobenímnapätia e Toto rozšírenie najväčšie blízkosti kolektora, pretože napätie medzi kanálom hradlom vplyvom ubytku napätia spôsobeného prúdom od kolektora emitoru zmenšuje.Polovodičové obvodové súčiastky