Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 34 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

■ Pracujú princípe využitia elektrostatického poľa ovládanie prúdu prechádzajúceho polovodičovou platničkou. ■ Tranzistor ovládaný elektrickým poľom - Filed-Effect-Tranzistor, FET. Tranzistory ovládané elektrickým poľom. . ■ tomto prípade vedenia prúdu zúčastňujú nosiče náboja len jednej polarity (väčšinové náboje) ■ Používa názov unioolámy tranzistor.Polovodičové obvodové súčiastky