Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

1
2
3
4
5

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 33 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Znázornenie bezpečnej pracovnej oblasti bipolárneho tranzistora. . Dovolená pracovná oblasť tranzistora. - DPO tranzistora najdôležitejšou charakteristikou pre výber tranzistora, - predstavuje závislosť maximálne prípustného prúdu kolektora napätia kolektor emitor.Polovodičové obvodové súčiastky