Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 30 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Polovodičové obvodové súčiastky. . prúdový zosilňovací činiteľ tranzistora v zapojení spoločným emitorom. Základné zapojenia, charakteristiky parametre Rozdielne správanie tranzistora rôznych základných zapojeniach pri zmenách Predchádzajúcich prúdov môžeme posúdiť podľa nasledujúcej úvahy: Ak zmeny prúdov také malé, že tranzistor môžeme považovať za lineárnu súčiastku, nazývame pomer A Ic/A pri konštantnom napäťí b prúdový zosilňovací činiteľ tranzistora v zapojení spoločnou bázou, Označujeme h21B.bipolárnych tranzistorov