Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 30 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Polovodičové obvodové súčiastky. .bipolárnych tranzistorov. Základné zapojenia, charakteristiky parametre Rozdielne správanie tranzistora rôznych základných zapojeniach pri zmenách Predchádzajúcich prúdov môžeme posúdiť podľa nasledujúcej úvahy: Ak zmeny prúdov také malé, že tranzistor môžeme považovať za lineárnu súčiastku, nazývame pomer A Ic/A pri konštantnom napäťí b prúdový zosilňovací činiteľ tranzistora v zapojení spoločnou bázou, Označujeme h21B. prúdový zosilňovací činiteľ tranzistora v zapojení spoločným emitorom