|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 31 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
bipolárnych tranzistorov.
Kvalita tranzistora práve funkciou prúdového zosilňovacieho činiteľa.
Závislosť statického prúdového
zosilňovacieho činiteľa h21 od
kolektorového prúdu.
Základné zapojenia, charakteristiky parametre
Prúdový zosilňovací činiteľ zapojení
so spoločným emitorom
h 21
IIc_
V UCE=cst.
Polovodičové obvodové súčiastky.
