|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 31 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
Základné zapojenia, charakteristiky parametre
Prúdový zosilňovací činiteľ zapojení
so spoločným emitorom
h 21
IIc_
V UCE=cst.
Kvalita tranzistora práve funkciou prúdového zosilňovacieho činiteľa.
.
Polovodičové obvodové súčiastky.
Závislosť statického prúdového
zosilňovacieho činiteľa h21 od
kolektorového prúdu.bipolárnych tranzistorov
