Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 29 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Základné zapojenia, charakteristiky parametre v I Meranie statických charakteristíktranzistora so spoločnou bázou. -15 -10 -5 0 n M W .bipolárnych tranzistorov. IrnfrJ ŕ) n k [_0 -p SB 9 i o 1 VÝSTUPNÍ VÝSTUPNÍ pfilfrctanst ckortfit ■Q5_-1 „ He[V1 Charakteristikytranzistora NPN sospoločnou bázou Meranie statických charakteristíktranzistora so spoločnýmemitorom. vstupnI výstu í •cá oŕi LL^-konst i VVSTUPNl ! lB=tonst Im 60 0 l0~ 20 b UtrtV) iyV) * Charakteristikytranzistora NPN sospoločnýmemitorom . Polovodičové obvodové súčiastky