Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 28 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Polovodičové obvodové súčiastky. podstatu pôsobiacich fyzikálnych javov).) Pre zapojenie tranzistora spoločným kolektorom statické charakteristiky neuvádzajú, pretože všetky údaje, ktoré sme z nich mohli určiť, môžeme určiť charakteristík platných pre zapojenie SE. Základné zapojenia, charakteristiky parametre Základné zapojenia tranzistorov (so spoločnou bázou) - (so spoločným emitorom) - (so spoločným kolektorom) Spôsob zapojenia nemôžemať vplyv vnútornú činnosť tranzistora (t.bipolárnych tranzistorov. .j. Poznámky: Všetky závery platné pre tranzistor NPN platia pre tranzistor PNP (V zapojeniach grafoch však musí pri tranzistore PNP zmeniť polarita všetkých napätí zmysel prúdov