Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 28 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
podstatu pôsobiacich fyzikálnych javov).j. Základné zapojenia, charakteristiky parametre Základné zapojenia tranzistorov (so spoločnou bázou) - (so spoločným emitorom) - (so spoločným kolektorom) Spôsob zapojenia nemôžemať vplyv vnútornú činnosť tranzistora (t. Poznámky: Všetky závery platné pre tranzistor NPN platia pre tranzistor PNP (V zapojeniach grafoch však musí pri tranzistore PNP zmeniť polarita všetkých napätí zmysel prúdov.) Pre zapojenie tranzistora spoločným kolektorom statické charakteristiky neuvádzajú, pretože všetky údaje, ktoré sme z nich mohli určiť, môžeme určiť charakteristík platných pre zapojenie SE. Polovodičové obvodové súčiastky. .bipolárnych tranzistorov