Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Strana 22 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

100 100 3% Ä i900 .Dimenzovanie výstupného usmerňovača DC-DC meniča. Výpočet strát usmerňovacej diódy C Priepu*ii£ straty: /V /fc rf bfci / r ľfi r P vypínacie siroty Celkové straty n<Jdióde: P Pft 42,51 5,5 IW Straty oboch usmerňovacích diódach: PUf 2_Pr lW Straty nťd diódach %: P QI P,a \%\

---

---