Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 21 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Typ.uc Tepelný odpor prechod-pú/dio W f Tepelný odpor púzdno-okolie m Min. Stredná hodnota prúdu: Efektívna hodnota prúdu: z 0,52 1 (AV) ax‘2 39A 1 DRMS ma^ --^ 0,52 2 = 76,5A Pre tento účel bola vybraná ultra rýchla dióda typu 80EPU02 P Max Jednotka U Zäuemč napätie V i F<>Wj®Tc=11 Priepustní príid A Operační teplota prechodu -55- -1-175 C Typ. Tj= nC Qrr Zäwmfi zotavovací näboj Tj=.7'J C í Zfwmý zotivovací tas R=. Podmienky UF Priepustná napätie 0.Dimenzovanie výstupného usmerňovača DC-DC meniča. R i. Mix. Vila Mix