|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...
Vydal: Neurčeno
Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania
Strana 23 z 50
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
16 určíme tepelný odporchladiča
t t7S —Vi
Rihr 7T~n (0,7 S2) fW
45,51Pf
Oteplenie pihdra:
Rthjc R,kjc.tah 5.iiúc v/.51 I43cC
r r
O tep len puzd :
A7> ^
Marimona /nripiuŕná tepioía puzdra:
T0naí= I70,5:C
Djjiflŕiniiŕíí teplota prechodu:
Tj ATjc 14^ 4,5 147,5'.45.7.Pr 175 0.Dimenzovanie výstupného usmerňovača
DC-DC meniča.
Tepelné výpočty
Vyu/
