Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 18 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Používajú hlavne pri konštrukcií oscilátorov alebo rýchlych spínačov.Polovodičové obvodové súčiastky. Generované kmity môžu mať veľmi vysokú frekvenciu desiatky GHz. 1 strmý priechod (zliatinový) 2 pomalý priechod (široký priechod) 3 pre diódu lin. závislosťou k k C = 2 k - • U konštanta závislá materiálu vyhotovenia diódy . Druhy polovodičových diód Tunelová dióda Kapacitná dióda Vyrába veľmi silno dotovaného germánia alebo arzenidu gália. Závislosť kapacity diódy anódového napätia v spätnom smere