Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 18 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
1 strmý priechod (zliatinový) 2 pomalý priechod (široký priechod) 3 pre diódu lin. závislosťou k k C = 2 k - • U konštanta závislá materiálu vyhotovenia diódy . Druhy polovodičových diód Tunelová dióda Kapacitná dióda Vyrába veľmi silno dotovaného germánia alebo arzenidu gália.Polovodičové obvodové súčiastky. Generované kmity môžu mať veľmi vysokú frekvenciu desiatky GHz. Používajú hlavne pri konštrukcií oscilátorov alebo rýchlych spínačov. Závislosť kapacity diódy anódového napätia v spätnom smere