Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Strana 19 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Dióda PIN c) a) Principiálne usporiadanie PIN diódy, b) charakteristika PIN diódy c) Závislosť hrúbky vrstvy (intrinzická) frekvencie Vrstva neuplatňuje pri prechode jednosmerného prúdu alebo prúdov s nízkymi frekvenciami. Používa pri frekvenciách rádovo 100-ky 1000-ky MHz.Polovodičové obvodové súčiastky. Druhy polovodičových diód

---

---