Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Strana 19 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Používa pri frekvenciách rádovo 100-ky 1000-ky MHz. Druhy polovodičových diód. Dióda PIN c) a) Principiálne usporiadanie PIN diódy, b) charakteristika PIN diódy c) Závislosť hrúbky vrstvy (intrinzická) frekvencie Vrstva neuplatňuje pri prechode jednosmerného prúdu alebo prúdov s nízkymi frekvenciami.Polovodičové obvodové súčiastky

---

---