Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 17 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
pritlačením ortuťovej kvapky, alebo vákuovým naparením hliníka. . Kontakt vzniká napr. Zenerova dióda (stabilizačná dióda): -dióda stabilizáciu jednosmerného napätia, - Zenerov jav, -napätie pri ktorom vzniká Zenerov jav nazýva Zenerovo napätie.Polovodičové obvodové súčiastky. Druhy polovodičových diód Schottkyho dióda: -využíva svoju činnosť usmerňujúci, kontakt polovodič kov