Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 16 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
I d Dovolená anódová strata P T max a aDO V Rth . Pa ak. I >prúd prechádzajúci diódou, U >napätie dióde, Tj max >maximálna prípustná teplota priechodu, Ta >teplota okolia, R >tepelný odpor diódy.Polovodičové obvodové súčiastky. Vplyv teploty vlastnosti diód stratový výkon diódy . Diódy ich všeobecné vlastnosti. priechod priechod pu ro n ■I J } puzdro R i okolie I } R-(th)|a prídavné chladenie Rr,<lb)]a Ekvivalentný tepelný obvod diódy a) prídavné chladenia, prídavným chladením Vplyv teploty prúd prechádzajúci diódou. Tepelný náhradný obvod diódy. Stratový výkon diódy výkon, ktorý pri prechode prúdu diódou mení teplo