Priemyselná elektrotechnika I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Obsah. Základné zapojenia, charakteristiky a parametre bipolárnych tranzistorov, Dovolená pracovná oblasť tranzistora, Tranzistory ovládané elektrickým poľom, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom JFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s priechodovým hradlom MOSFET, Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s indukovaným hradlom, Náhradná schéma výkonových MOSFET, Bipolárne tranzistory s izolovaným hradlom IGBT, Porovnanie vlastností tranzistorov, Hlavné parametre výkonových IGBT tranzistorov ...

Vydal: Neurčeno Autor: Katedra teoretickej elektrotechniky a elektrického merania

Strana 16 z 50

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tepelný náhradný obvod diódy. I >prúd prechádzajúci diódou, U >napätie dióde, Tj max >maximálna prípustná teplota priechodu, Ta >teplota okolia, R >tepelný odpor diódy.I d Dovolená anódová strata P T max a aDO V Rth . priechod priechod pu ro n ■I J } puzdro R i okolie I } R-(th)|a prídavné chladenie Rr,<lb)]a Ekvivalentný tepelný obvod diódy a) prídavné chladenia, prídavným chladením Vplyv teploty prúd prechádzajúci diódou. Diódy ich všeobecné vlastnosti. Pa ak. Stratový výkon diódy výkon, ktorý pri prechode prúdu diódou mení teplo. Vplyv teploty vlastnosti diód stratový výkon diódy .Polovodičové obvodové súčiastky