U bipolární technologie musíme provádět izolaci jednotlivých prvků vytvořením n
přechodů, které jsou inverzním směru viz Obr.4.3 )
kde pohyblivost elektronů napětí kolektoru délka
kanálu. se
nejvíce projevilo tzv.4.
/ Podobným způsobem jako jsme definovali mezní kmitočet MOSFETu můžeme
definovat mezní kmitočet bipolárního tranzistoru dostaneme tzv. tranzitní kmitočet ,
který blízký meznímu kmitočtu /
Tranzistory typu MOSFET hrají dominantní roli oblasti digitální elektroniky se
zvyšujícími nároky rychlost počítačů vzrůstaly požadavky mezní kmitočty tedy
mm délka hradla a
0,7 mm- Současně zmenšováním rozměrů zvětšovala hustota tranzistorů čipu.2 )
=
2 -L
( 2. 2.
75
.Vstupní proud dán mezní frekvence budiž fc/
VfGE
1 'VcGE
■fc (CGE CGC)
Zanedbáme-li proud tekoucí kapacitorem Cgc výstupní svorky jsou zkratovány je
výstupní proud dán
IC GE
Na frekvenci poměr těchto proudů jednotka
Ir KGE
= =
S
2 n-C,GIq •fc GVGE
Kdybychom sledovali MOSFET hlediska fyziky, dostali bychom pro tutéž frekvenci
( 2. Vyplývá toho pracovat materiálem možná největší pohyblivostí zejména
snižovat délku kanálu. dynamických pamětí, které původních kilobitových čipů čili čipů
uchovávajících tisíc základních informačních jednotek bitů nebo uchovávají miliony
bitů jedné destičce Mbit znamená, jedné destičce např.4-14 . asi 65
milionů tranzistorů MOS Takovou hustotu integrace umožňuje to, struktura svojí
podstatou samoizolující se
