2.4-14 . Vyplývá toho pracovat materiálem možná největší pohyblivostí zejména
snižovat délku kanálu.4.
/ Podobným způsobem jako jsme definovali mezní kmitočet MOSFETu můžeme
definovat mezní kmitočet bipolárního tranzistoru dostaneme tzv. tranzitní kmitočet ,
který blízký meznímu kmitočtu /
Tranzistory typu MOSFET hrají dominantní roli oblasti digitální elektroniky se
zvyšujícími nároky rychlost počítačů vzrůstaly požadavky mezní kmitočty tedy
mm délka hradla a
0,7 mm- Současně zmenšováním rozměrů zvětšovala hustota tranzistorů čipu.Vstupní proud dán mezní frekvence budiž fc/
VfGE
1 'VcGE
■fc (CGE CGC)
Zanedbáme-li proud tekoucí kapacitorem Cgc výstupní svorky jsou zkratovány je
výstupní proud dán
IC GE
Na frekvenci poměr těchto proudů jednotka
Ir KGE
= =
S
2 n-C,GIq •fc GVGE
Kdybychom sledovali MOSFET hlediska fyziky, dostali bychom pro tutéž frekvenci
( 2. dynamických pamětí, které původních kilobitových čipů čili čipů
uchovávajících tisíc základních informačních jednotek bitů nebo uchovávají miliony
bitů jedné destičce Mbit znamená, jedné destičce např.
75
.2 )
=
2 -L
( 2.4.3 )
kde pohyblivost elektronů napětí kolektoru délka
kanálu. se
nejvíce projevilo tzv. asi 65
milionů tranzistorů MOS Takovou hustotu integrace umožňuje to, struktura svojí
podstatou samoizolující se.
U bipolární technologie musíme provádět izolaci jednotlivých prvků vytvořením n
přechodů, které jsou inverzním směru viz Obr
