Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 72 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4-11 Obě oblasti typu křemíku jsou spojeny indukovaným kanálem typu připojení malého napětí mezi kolektor drain emitor source poteče tímto kanálem proud majoritních nosičů elektronů tento proud bude záviset napětí mezi hradlem emitorem. Opět tedy můžeme definovat mezní kmitočet MOSFETu tak, frekvence, kde tranzistor přestává zesilovat vstupní signál. 74 . Proto charakteristiky tohoto tranzistoru jsou velice podobné polaritu velikost napětí hradle. 2. Při zvýšení napětí mezi kolektorem emitorem bude uplatňovat pole mezi kolektorem a emitorem dojde stejnému efektu jako případě FETu.nad úrovní jedná polovodič typu rotože Fermiho úroveň zůstává oblasti polovodiče konstantní protože neteče žádný proud směru zabraňuje tomu izolující SiO2 stává tenká vrstva polovodiče pod hradlem vzdálenosti polovodičem typu Potom máme situaci takovouto : E S 2 AI I 1 1 S C S * -----1-------------------- , r >— 1------------------------------------------- i l-ř , J \ l P TYP Si substrát Obr. Typické charakteristiky vypadají takto : Rovněž náhradní obvod pro malý signál stejný jaký jsme poznali FETu. Uvažujeme-li náhradní obvod tranzistoru zkratujeme výstupní svorky, můžeme spočítat poměr výstupního vstupního signálového proudu. Kromě tranzistoru s mohou být tranzistory s zužuje ochuzovaný typ. Stejně jako předešlých typů tranzistorů jsou jejich vlastnosti závislé frekvenci