Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 74 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
/. budoucí kanál N substrát TYP Obr. 2.4-15 . 2.-TYPJT~ĽN -TYPn substrát TYP Obr. 76 .4-14 a vzniklých ostrůvcích vytvářet teprve potřebné prvky. případě MOS tranzistorů vytváříme kolektorové emitorové oblasti obráceného typu polovodiče, proto izolace přechodem automatická viz Obr. 2. Další polovodičové prvky způsoby jejich užití ponecháme pro druhý semestr. N* 1 vstup výstup substrát TYP Obr. Další významnou oblastí užití tranzistorů MOS výkonová elektronika, která užívá výkonových MOS tranzistorů pro spínání existuje řada variant SIPMOS MOS atd. 2.4-16 Jejich velkou výhodou je, klidovém stavu neodebírají proud, protože vždy jeden z moderní digitální elektronice.4-15 V posledních letech stále více uplatňují obvody CMOS což spojení dvou tranzistorů MOS kanálem kanálem