2. /. 2. 2. případě MOS tranzistorů
vytváříme kolektorové emitorové oblasti obráceného typu polovodiče, proto izolace
přechodem automatická viz Obr. 2.4-15
V posledních letech stále více uplatňují obvody CMOS což spojení dvou tranzistorů
MOS kanálem kanálem .-TYPJT~ĽN -TYPn
substrát TYP
Obr.4-15 .
Další významnou oblastí užití tranzistorů MOS výkonová elektronika, která užívá
výkonových MOS tranzistorů pro spínání existuje řada variant SIPMOS MOS atd.
76
.
budoucí kanál N
substrát TYP
Obr.4-16
Jejich velkou výhodou je, klidovém stavu neodebírají proud, protože vždy jeden
z moderní digitální elektronice.4-14
a vzniklých ostrůvcích vytvářet teprve potřebné prvky.
Další polovodičové prvky způsoby jejich užití ponecháme pro druhý semestr.
N*
1
vstup výstup
substrát TYP
Obr
