Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 74 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
N* 1 vstup výstup substrát TYP Obr. 2. 76 .4-15 . 2. případě MOS tranzistorů vytváříme kolektorové emitorové oblasti obráceného typu polovodiče, proto izolace přechodem automatická viz Obr. /. Další polovodičové prvky způsoby jejich užití ponecháme pro druhý semestr.4-15 V posledních letech stále více uplatňují obvody CMOS což spojení dvou tranzistorů MOS kanálem kanálem . 2. 2.-TYPJT~ĽN -TYPn substrát TYP Obr.4-16 Jejich velkou výhodou je, klidovém stavu neodebírají proud, protože vždy jeden z moderní digitální elektronice.4-14 a vzniklých ostrůvcích vytvářet teprve potřebné prvky. Další významnou oblastí užití tranzistorů MOS výkonová elektronika, která užívá výkonových MOS tranzistorů pro spínání existuje řada variant SIPMOS MOS atd. budoucí kanál N substrát TYP Obr