76
. /.
budoucí kanál N
substrát TYP
Obr.4-14
a vzniklých ostrůvcích vytvářet teprve potřebné prvky.
Další polovodičové prvky způsoby jejich užití ponecháme pro druhý semestr. 2. případě MOS tranzistorů
vytváříme kolektorové emitorové oblasti obráceného typu polovodiče, proto izolace
přechodem automatická viz Obr.-TYPJT~ĽN -TYPn
substrát TYP
Obr. 2.4-15
V posledních letech stále více uplatňují obvody CMOS což spojení dvou tranzistorů
MOS kanálem kanálem .4-16
Jejich velkou výhodou je, klidovém stavu neodebírají proud, protože vždy jeden
z moderní digitální elektronice. 2.
Další významnou oblastí užití tranzistorů MOS výkonová elektronika, která užívá
výkonových MOS tranzistorů pro spínání existuje řada variant SIPMOS MOS atd.4-15 .
N*
1
vstup výstup
substrát TYP
Obr. 2
