Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 69 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Vge pro malé napětí proud lineárně závislý Vge/ viz Obr. Podobně jako jsme uvedli náhradní obvod pro malý signál, který reprezentoval frekvenční závislosti tranzistoru bipolárního, můžeme totéž učinit zde pro případ FET . / Charakteristiky tranzistoru FET Junction FET Tranzistor řízený polem jsou na následujícím obrázku . 2.oblast malých napětí ce, kdy proud úměrný oblast velkých napětí kdy proud prakticky nezávisí této oblastí říkáme oblast nasycení nebo saturace nezaměňovat s V došlo lavinovému průrazu mezi kolektorem emitorem. Ukazuje se, tomto případě budou jako omezující jevit parazitní kapacity mezi jednotlivými elektrodami zjednodušený náhradní obvod může vypadat takto : 71 . operační zesilovač vstupu tranzistory FET pro podstatné snížení vstupních proudů .4-4 . nebo častější případ saturované oblasti jako zesilovač velmi malým vstupním proudem např