Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 69 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Ukazuje se, tomto případě budou jako omezující jevit parazitní kapacity mezi jednotlivými elektrodami zjednodušený náhradní obvod může vypadat takto : 71 . operační zesilovač vstupu tranzistory FET pro podstatné snížení vstupních proudů . nebo častější případ saturované oblasti jako zesilovač velmi malým vstupním proudem např.oblast malých napětí ce, kdy proud úměrný oblast velkých napětí kdy proud prakticky nezávisí této oblastí říkáme oblast nasycení nebo saturace nezaměňovat s V došlo lavinovému průrazu mezi kolektorem emitorem. Podobně jako jsme uvedli náhradní obvod pro malý signál, který reprezentoval frekvenční závislosti tranzistoru bipolárního, můžeme totéž učinit zde pro případ FET . 2.4-4 . Vge pro malé napětí proud lineárně závislý Vge/ viz Obr. / Charakteristiky tranzistoru FET Junction FET Tranzistor řízený polem jsou na následujícím obrázku