Vge pro
malé napětí proud lineárně závislý Vge/ viz Obr. /
Charakteristiky tranzistoru FET Junction FET Tranzistor řízený polem jsou
na následujícím obrázku . 2.
Ukazuje se, tomto případě budou jako omezující jevit parazitní kapacity mezi
jednotlivými elektrodami zjednodušený náhradní obvod může vypadat takto :
71
.
nebo častější případ saturované oblasti jako zesilovač velmi malým vstupním
proudem např. operační zesilovač vstupu tranzistory FET pro podstatné snížení
vstupních proudů .
Podobně jako jsme uvedli náhradní obvod pro malý signál, který reprezentoval
frekvenční závislosti tranzistoru bipolárního, můžeme totéž učinit zde pro případ FET .4-4 .oblast malých napětí ce, kdy proud úměrný oblast velkých napětí kdy proud
prakticky nezávisí této oblastí říkáme oblast nasycení nebo saturace nezaměňovat
s
V došlo lavinovému průrazu mezi kolektorem emitorem
