4-4 .
Podobně jako jsme uvedli náhradní obvod pro malý signál, který reprezentoval
frekvenční závislosti tranzistoru bipolárního, můžeme totéž učinit zde pro případ FET .
Vge pro
malé napětí proud lineárně závislý Vge/ viz Obr.
nebo častější případ saturované oblasti jako zesilovač velmi malým vstupním
proudem např.
Ukazuje se, tomto případě budou jako omezující jevit parazitní kapacity mezi
jednotlivými elektrodami zjednodušený náhradní obvod může vypadat takto :
71
. operační zesilovač vstupu tranzistory FET pro podstatné snížení
vstupních proudů . /
Charakteristiky tranzistoru FET Junction FET Tranzistor řízený polem jsou
na následujícím obrázku .oblast malých napětí ce, kdy proud úměrný oblast velkých napětí kdy proud
prakticky nezávisí této oblastí říkáme oblast nasycení nebo saturace nezaměňovat
s
V došlo lavinovému průrazu mezi kolektorem emitorem. 2
