desetiny voltu,
zůstala situace taková jak jsme popsali. 2.
Proti bipolárnímu tranzistoru budeme mít výhodu v
ke hradlu, bude proud zanedbatelně malý zavřený přechod Takový prvek tedy bude řízen
pouze napětím 10-9A . ovšem následek, šířka
ochuzené vrstvy bude různá podél hradla viz Obr.4-2
Při dalším zvýšení napětí mezi kolektorem emitorem dokonce mohou obě ochuzené vrstvy
dotknout.4-1
Polarizujeme-li přechod inverzním směru, budeme moci velikostí závěrného napětí
měnit průřez vodivého kanálu mezi kolektorem emitorem, tedy případný proud mezi
těmito dvěma elektrodami. Ale toho okamžiku dále kolektorový proud nemůže stoupat ustálí na
nějaké hodnotě dané Vge Proto charakteristiky tohoto tranzistoru budou mít dvě oblasti -
70
.závěrné napětí.
/
P polovodič
J
V ochuzená vrstva
N polovodič
r
\
/
ochuzená vrstva ^
1 '
P polovodič
Obr. 2. Představme nyní takovéto uspořádání
G
^ polovodič
1 1
l ochuzená vrstva 1
y
N polovodič
■N
1 ochuzena vrstva
1
1 ■
\ polovodič
Obr. 2. Zvětšíme-li však napětí mezi kolektorem a
emitorem, bude existovat pole které bude projevovat tak, závěrné napětí podél
hradla bude různé bude vyšší směrem kolektoru. Elektrodě označené říkáme hradlo.4-2 /.
Pokud napětí mezi kolektorem emitorem bylo zanedbatelně malé tj. přechodové oblasti nejsou prakticky žádné volné nosiče elektrony díry /,
proto také říkává ochuzená vrstva. toho také plyne, přechod chová závěrné oblasti jako napěťově
závislá kapacita
