Představme nyní takovéto uspořádání
G
^ polovodič
1 1
l ochuzená vrstva 1
y
N polovodič
■N
1 ochuzena vrstva
1
1 ■
\ polovodič
Obr. 2. 2. ovšem následek, šířka
ochuzené vrstvy bude různá podél hradla viz Obr. toho také plyne, přechod chová závěrné oblasti jako napěťově
závislá kapacita. Elektrodě označené říkáme hradlo.závěrné napětí.4-1
Polarizujeme-li přechod inverzním směru, budeme moci velikostí závěrného napětí
měnit průřez vodivého kanálu mezi kolektorem emitorem, tedy případný proud mezi
těmito dvěma elektrodami.
/
P polovodič
J
V ochuzená vrstva
N polovodič
r
\
/
ochuzená vrstva ^
1 '
P polovodič
Obr.4-2 /. přechodové oblasti nejsou prakticky žádné volné nosiče elektrony díry /,
proto také říkává ochuzená vrstva. Ale toho okamžiku dále kolektorový proud nemůže stoupat ustálí na
nějaké hodnotě dané Vge Proto charakteristiky tohoto tranzistoru budou mít dvě oblasti -
70
. Zvětšíme-li však napětí mezi kolektorem a
emitorem, bude existovat pole které bude projevovat tak, závěrné napětí podél
hradla bude různé bude vyšší směrem kolektoru.
Pokud napětí mezi kolektorem emitorem bylo zanedbatelně malé tj.
Proti bipolárnímu tranzistoru budeme mít výhodu v
ke hradlu, bude proud zanedbatelně malý zavřený přechod Takový prvek tedy bude řízen
pouze napětím 10-9A . desetiny voltu,
zůstala situace taková jak jsme popsali.4-2
Při dalším zvýšení napětí mezi kolektorem emitorem dokonce mohou obě ochuzené vrstvy
dotknout. 2
