závěrné napětí. ovšem následek, šířka
ochuzené vrstvy bude různá podél hradla viz Obr.4-2
Při dalším zvýšení napětí mezi kolektorem emitorem dokonce mohou obě ochuzené vrstvy
dotknout. desetiny voltu,
zůstala situace taková jak jsme popsali. Představme nyní takovéto uspořádání
G
^ polovodič
1 1
l ochuzená vrstva 1
y
N polovodič
■N
1 ochuzena vrstva
1
1 ■
\ polovodič
Obr. 2. 2. 2. přechodové oblasti nejsou prakticky žádné volné nosiče elektrony díry /,
proto také říkává ochuzená vrstva.4-2 /. Zvětšíme-li však napětí mezi kolektorem a
emitorem, bude existovat pole které bude projevovat tak, závěrné napětí podél
hradla bude různé bude vyšší směrem kolektoru.4-1
Polarizujeme-li přechod inverzním směru, budeme moci velikostí závěrného napětí
měnit průřez vodivého kanálu mezi kolektorem emitorem, tedy případný proud mezi
těmito dvěma elektrodami.
/
P polovodič
J
V ochuzená vrstva
N polovodič
r
\
/
ochuzená vrstva ^
1 '
P polovodič
Obr. Ale toho okamžiku dále kolektorový proud nemůže stoupat ustálí na
nějaké hodnotě dané Vge Proto charakteristiky tohoto tranzistoru budou mít dvě oblasti -
70
. toho také plyne, přechod chová závěrné oblasti jako napěťově
závislá kapacita.
Pokud napětí mezi kolektorem emitorem bylo zanedbatelně malé tj. Elektrodě označené říkáme hradlo.
Proti bipolárnímu tranzistoru budeme mít výhodu v
ke hradlu, bude proud zanedbatelně malý zavřený přechod Takový prvek tedy bude řízen
pouze napětím 10-9A
